作者单位
摘要
华南理工大学材料科学与工程学院 发光材料与器件国家重点实验室,广东 广州 510641
纯有机室温磷光(RTP)材料由于能够直接利用电致激发产生的75%的三线态激子,近年来在有机电致发光领域受到研究人员的广泛关注。然而,由于纯有机材料理论上的自旋禁阻特性,使得三线态激子的辐射速率慢、激子寿命长,从而难以与非辐射耗散竞争。因此,通过有效的分子设计策略实现增强的自旋?轨道耦合,从而促进快速的系间窜越和磷光辐射过程,进而实现高磷光量子效率并抑制长三线态激子寿命导致的各种非辐射失活,对于开发高效的纯有机电致RTP材料与器件至关重要。本文从RTP的分子结构设计出发对近年来的纯有机电致室温磷光材料和器件进行综述,总结了含有不同重原子的纯有机磷光材料的电致发光性能,指出目前研究中需要解决的关键问题,并对其在电致发光领域的应用前景进行了展望。
纯有机室温磷光 三线态激子 电致发光 有机发光二极管 purely organic room-temperature phosphorescence material triplet exciton electroluminescence organic light-emitting diode 
发光学报
2023, 44(1): 90
作者单位
摘要
郑州大学物理工程学院, 河南 郑州 450000
基于表面等离子激元的纳米激光器能够将光源的尺寸降低几个数量级,结合表面等离子体波可将波长限制在纳米尺度内传输,突破衍射极限,从而实现与电子学器件的尺寸相匹配,最终实现整个光互连系统的小型化和低功耗。简述了表面等离子激元的基本原理,对近年来的表面等离子激元纳米激光器的研究工作进行了总结,详细介绍了各种结构及其优势,指出了该类激光器在开发过程中面临的挑战和今后的工作重点,展望了纳米激光器广泛的应用前景。
激光器 表面等离子激元 混合表面等离子体波导 回音壁模式 
激光与光电子学进展
2019, 56(20): 202409
作者单位
摘要
1 郑州大学 物理工程学院,河南 郑州 450001
2 中国科学院微电子研究所,北京 100029
针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时 
红外与毫米波学报
2018, 37(2): 163
作者单位
摘要
1 中国原子能科学研究院 反应堆工程研究设计所, 北京 102413
2 中国科学技术大学 近代物理系, 合肥 230026
3 中国科学技术大学 核探测与核电子学国家重点实验室, 合肥 230026
4 北京市辐射安全技术中心, 北京 100089
Geant4是一款基于C++面向对象技术的蒙特卡罗开发程序包,可以模拟各种已知粒子与物质之间的相互作用。然而该程序包没有提供临界源功能,无法直接用于反应堆物理计算。因此,利用Geant4提供的基础物理模型和粒子跟踪控制等功能,用两种不同方法实现了临界源的设置,实现了基于Geant4的反应堆静态计算程序G4-RSM和反应堆动态计算程序G4-RDM。两个程序均可用于反应堆临界计算,与MCNP计算结果相对误差在5%以内。G4-RDM程序除可用于临界计算外,还可用于模拟堆内事故工况下的中子学瞬态变化。
反应堆物理 临界计算 瞬态计算 蒙特卡罗方法 Geant4 Geant4 reactor physics criticality simulation kinetics simulation Monte Carlo method 
强激光与粒子束
2017, 29(5): 056007
Author Affiliations
Abstract
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
We report a 1.8 μm two-section distributed Bragg reflector laser using butt-jointed InGaAsP bulk material as the waveguide core layer. The threshold current is 17 mA and the output power is 8 mW on average. The threshold current, output power, and emitting wavelength dependences on temperature are measured. The obtained wavelength tuning range is 10 nm. This device has potential applications in simultaneous multiple-gas detection.
140.0140 Lasers and laser optics 140.5960 Semiconductor lasers 140.3600 Lasers, tunable 140.3570 Lasers, single-mode 
Chinese Optics Letters
2015, 13(4): 041401

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