1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 吉林大学 物理学院, 吉林 长春130012
3 哈尔滨师范大学 光电带隙材料省部共建教育部重点实验室, 黑龙江 哈尔滨150025
4 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州215123
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性, 在光电子领域极具应用前景, 其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性, 生长了不同程度硫粉硫化的ZnO/ZnS核壳纳米线, 再利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及光致发光光谱(PL)等测试表征手段, 分析并讨论经过不同程度硫粉硫化后的ZnO/ZnS核壳纳米线界面处的结构及其光学性质的变化。通过分析ZnO/ZnS核壳结构形貌发现, ZnS成功包覆ZnO纳米线。随着硫化程度的增加, ZnO核结构被破坏, 并在核壳界面处引入缺陷, 导致形成具有不同结晶质量的ZnO/ZnS核壳纳米线结构, 从而会影响ZnO/ZnS核壳纳米线的光学性质。结果表明, ZnO/ZnS核壳界面处缺陷较少时, 对载流子的产生和传输具有一定的束缚作用, 可以抑制非辐射复合效应, 提高材料光学性能; 当界面缺陷增加时, 形成的缺陷能级则会降低材料的光学性能。
核壳纳米结构 束缚态能级 界面缺陷 光致发光 core-shell nanostructures localized states interface defects photoluminescence
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
2 吉林大学物理学院, 吉林 长春 130023
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。
薄膜 砷化镓 光致发光 硫钝化 光电流 光响应
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
用分子束外延在GaAs (001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件, 一个是没有掺杂的量子阱结构, 一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明, 在300 K下, Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25 000 cm2·V-1·s-1, 并且该器件输入电阻和输出电阻较低。同时, Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件。
霍尔器件 量子阱 δ掺杂 分子束外延 Hall device quantum well δ-doping molecular beam epitaxy
1 北华大学 物理学院, 吉林 吉林132013
2 吉林大学 物理学院, 吉林 长春130012
利用射频磁控溅射方法, 使用Mg0. 04Zn0.96O 陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体, 在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加, 薄膜中Mg含量增加, 薄膜表面颗粒尺寸减小, 结晶质量变差, 电阻率逐渐增大, 导电类型发生转变。在氮流量比为20%时, 获得了最好的p型导电薄膜。另外, 随着氮流量比的增加, 拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强, 表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。
射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能 radio frequency magnetron sputtering technique N doped MgZnO films flux ratio of N2/(N2+Ar) photoelectric properties
1 第二炮兵工程大学 士官职业技术教育学院, 山东 青州 262500
2 96604部队, 北京 100192
采用小波变换方法对复合材料红外热波检测的图像增强进行研究。先对小波变换图像增强的原理进行介绍,将其分为初始化、分解、非线性增强和重构等4个步骤。然后对检测图像进行3层小波分解。随后,分别对3层分解系数进行增强处理,并通过阀值分割的方法对比增强效果,结果表明,对第2层分解系数进行增强处理的效果最佳。最后将最终增强处理图像与原图进行对比,证明了该方法的有效性,为复合材料的热波检测图像增强找到一种有效方法。
复合材料 红外热波检测 图像增强 小波变换 composite materials thermal wave NDT image enhancement wavelet transform
山西师范大学 生命科学学院，山西 临汾 041004
以培养6周左右的拟南芥为材料，采用UV-B辐射（剂量1 KJ/m2/d）和He-Ne激光器（波长632.8 nm,输出功率5 mW·mm2,辐照时间60 s）对材料进行处理，分成CK（没有经过UV-B或激光辐照）组、B(UV-B辐射)组、BL（UV-B和激光复合处理）组和L（激光辐照）组4个不同处理组.结果表明：增强的UV-B辐射拟南芥幼苗导致MDA(Malondialdehyde)、超氧阴离子含量升高，GSH(Glutathione)含量降低，PAL(phenylalanine ammomia-lyase)、CAT(catalase)和APX(ascorbate peroxidase)活性升高，SOD(supemxide dismutas)活性降低. 单独He-Ne激光处理使MDA、超氧阴离子含量降低，GSH的含量升高，SOD、APX、CAT的活性升高，PAL的活性降低.UV-B辐射后再用He-Ne激光进行后处理，发现与单独UV-B辐照处理相比，MDA、超氧阴离子含量降低，GSH含量升高，SOD、APX、CAT的活性升高了，PAL的活性降低了.因此激光在一定程度上提高了拟南芥叶片抗氧化能力，在此基础上讨论了其可能的形成机理.
He-Ne激光 UV-B辐射 拟南芥 抗氧化系统 He-Ne laser UV-B radiation Arabidopsis Antioxidant systems
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室, 吉林 长春１３００３３
2 吉林大学 物理学院, 吉林 长春１３００２１
利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明：GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能, I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性, 开启电压为3 V, 电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成, 其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
氧化锌 分子束外延 电致发光 发光二极管 ZnO molecular beam epitaxy electroluminescence light-emitting diode
数字信号处理器(DSP)广泛应用于各种信息处理系统中,同时I2C也是一种广泛使用的芯片间的通讯总线,所以在实际应用中,DSP与I2C总线接口的问题十分重要.通过对DSP及I2C总线读写时序的分析,提出了一种在DSP上实现I2C主接口的方案.方案利用DSP外部存储器接口,以及锁存器和缓冲器实现I2C接口硬件,并由软件控制I2C读写流程,具有硬件设备简单、可靠性高等特点.同时给出了用TMS320C80 DSP实现该方案的例子并对其可行性进行了验证.
数字信号处理器 Digital Signal Processor I2C Inter-Integrated Circuit（I2C） TMS320C80 TMS320C80
