华侨大学 信息科学与工程学院，福建 泉州 362021
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内，实现了1342nm激光的被动调Q运转，获得脉冲宽度约20ns、重复频率33.3kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制，认为双光子吸收是产生1342nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解，得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
激光技术 纳米Si/SiNx超晶格薄膜 被动调Q 1342nm激光 双光子吸收 laser technique nc-Si/ SiNx superlattice thin films passively Q-switch 1342nm laser two-photon absorption
华侨大学信息学院与工程学院， 福建 泉州 362021
利用部分相干光的相干与偏振的统一理论和2×2交叉谱密度矩阵传输规律，推导出随机电磁涡旋光束经圆环衍射后偏振度的计算公式。在这些理论基础上，研究了随机拉盖尔高斯光束在传播过程中偏振度的变化。分析表明，部分相干涡旋光束经圆环衍射后偏振度将发生变化，在衍射场中光束的偏振度分布情况与入射光的相干度、入射光束的拓扑电荷数、衍射孔径的大小等因素有关。
偏振度 斯托克斯矢量 部分相干涡旋光束 圆环衍射 激光与光电子学进展
2011, 48(6): 060501
