华侨大学 信息科学与工程学院，福建 泉州 362021
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内，实现了1342nm激光的被动调Q运转，获得脉冲宽度约20ns、重复频率33.3kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制，认为双光子吸收是产生1342nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解，得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
激光技术 纳米Si/SiNx超晶格薄膜 被动调Q 1342nm激光 双光子吸收 laser technique nc-Si/ SiNx superlattice thin films passively Q-switch 1342nm laser two-photon absorption
1 华中科技大学激光技术与工程研究院,武汉,430074
2 华中科技大学光电系,武汉,430074
介绍了LD泵浦Nd3+∶YVO4 1342nm激光器得到296mW的激光输出,最大斜率效率达到21.2%.同时给出了1342nm激光的光谱曲线及其输入-输出功率特性曲线.
LD泵浦 二极管泵浦 1342nm激光 Nd3+∶YVO4
