设计了一种基于图形化石墨烯的太赫兹吸收器，呈现出可调谐超宽频的吸收特性。其顶部为超薄石墨烯层，中间为电介质层，底部为金层。通过改变中间介质层的厚度和顶层石墨烯的费米能级，对太赫兹吸收器进行设计与仿真，而石墨烯的费米能级可以通过改变栅极电压来调控。结果表明，该吸收器在低频部分呈现超宽频吸收，当吸收器的介质层厚度为30 μm时，吸收特性达到最优，并且通过改变石墨烯的费米能级，能够动态调控吸收器的吸收特性，使得吸收峰值点和带宽发生动态变化，吸收峰值点在431 GHz区间内移动，实现了吸收器的可调谐功能。当石墨烯的费米能级为0.4 eV时，吸收率超过90%的频带宽度为1.8744 THz，吸收器峰值吸收率为99.3357%，达到了完美吸收。

基于不同形状和大小的谐振环对电磁场具有不同的响应原理,设计了对4个频带具有电磁响应的、由圆形谐振环结构组成的太赫兹吸收器。采用时域有限差分法(FDTD)研究了该吸收器的特性,通过改变顶层金属环形图案几何尺寸、中间层电介质厚度以及顶层金属圆环处的硅电导变化率,对太赫兹多频带吸收器进行设计与仿真。在耦合后的多频吸收器的吸收峰中,低频部分被完美吸收,高频部分吸收率由70%增至94%。同时,随着电导率变化,低频分别从0.775 THz和1.064 THz移动到0.697 THz和1.017 THz,分别移动了78 GHz和47 GHz,实现了连续频率调谐。

基于半导体硅电导率的可调性,设计了一种基于金属短线(CW)和圆形开口谐振环(SRR)的可控电磁诱导透明(EIT)结构,实现了对电磁诱导透明(EIT)效应的主动调控。研究发现,当半导体硅的电导率为1 S/m时,透射谱在1.33 THz附近呈现出透射率约为94%的窄透明窗口。当电导率为5000 S/m时,透射率变为58%;当电导率为15000 S/m时,EIT效应基本消失,调控效率达到了66%。利用耦合模理论对不同电导率的透射谱进行拟合,发现拟合曲线与透射谱非常吻合,这表明仿真结果和理论计算结果是一致的。仿真和计算结果表明,当硅的电导率增大时,暗模式的阻尼率增大,其损耗也增大,当电导率增大到一定值时,暗模式的谐振不能被激发,EIT效应消失。