中国科学院上海微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
采用准分子脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO2/Si和SiO2/Si衬底上制备了ZrO2薄膜，采用扩展电阻法（SRP）研究了薄膜纵向电阻分布；采用X射线衍射法（XRD）研究了衬底温度对ZrO2薄膜结晶性能的影响；精确测试了薄膜的表面粗糙度；讨论了薄膜结晶性能与其电学I-V特性之间的关系。
薄膜物理学 ZrO2薄膜 脉冲激光沉积法 衬底温度 结晶结构 电学性能
1 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
2 中国科学院上海硅酸盐所,上海 200050
采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明：薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上。
氮化铝 脉冲激光沉积 介电性
中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于掺Ca的作用,使薄膜的材料探测优值和电压响应优值几乎与单晶MgO衬底上的c轴取向的PbTiO3或(Ph,La)TiO3薄膜相比拟。这些较好的实验结果是在硅基衬底上的铁电薄膜中获得的,因而对研制单片集成的红外热释电阵列将有一定的意义。
脉冲激光沉积（PLD） 铁电薄膜 热释电
1 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 南京大学固体微结构国家重点实验室, 南京 210008
采用脉冲准分子激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功地制备了SBT铁电薄膜,发现存在一个最佳沉积衬底温度约为450 ℃。在该温度下沉积的SBT薄膜具有较饱和的方形电滞回线,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别为8.4 μC/cm2和57 kV/cm。
脉冲激光沉积 铁电薄膜
1 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
2 上海大学材料学院,上海 201800
钌酸盐是典型的ABO3型过渡金属氧化物, 具有金属导电性, 其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了BaRuO3的钙钛矿晶体结构和导电机制, 并利用ArF准分子脉冲激光沉积(PLD)技术, 结合后续退火处理, 在Si(100)衬底上生长出具有(110)取向、室温电阻率约10 -2～10 -3 Ω·cm的BaRuO3高导电性薄膜, 俄歇能谱(ASE)和Rutherford背散射谱(RBS)分析表明:薄膜BaRuO3的纯度高、成分均匀性好, BaRuO3/Si界面存在扩散过渡层。
脉冲激光沉积 过渡金属氧化物 钌酸盐薄膜
1 浙江大学现代光学国家重点实验室, 杭州 310027
2 中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
3 上海电缆传输研究所, 上海 200437
提出了一种光纤波导折射率渐变的新型锥形(Taper)耦合器件,其原理是基于光纤中Ge缺陷在紫外光照射下而产生的光致折射率的变化。利用光纤在高压、低温下渗氢技术使单模光纤的光致折射率变化△n达6×10-3数量级;通过控制曝光条件就可以在光纤中产生一定规律的锥形结构,使单模光纤的模场半径由4.8 μm缩小到3.2 μm。由耦合波理论分析表明该器件具有较好的基模传输特性。
光致折射率 锥形耦合器 模场半径 耦合波理论
1 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家实验室, 上海 200050
2 中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室, 上海 200083
采用ArF准分子脉冲激光沉积方法(PLD)，以六方氮化硼(h-BN)作靶在Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。XRD及FTIR透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼(C-BN).AES测量表明不同条件下生成的薄膜中N与B的相对含量是不同的，最大比例近乎为1:1，薄膜的维氏显微硬度HV最大值为1580 kg/mm2。
脉冲激光沉积 立方氮化硼 六方氮化硼
1 江苏石油化工学院物理教研室, 常州 213016
2 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室, 上海 200050
3 Dept. Electronic and Electronic and Engineering
4 University of Surrey
5 Guildford, Surrey Gu2 5XH, England
本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 μm激光的TE和TM模的传输损耗.1.523 μm光的TE模的最小传输损耗已达0.27 dB/cm.说明DWB/SOI材料是一种有潜力的光波导材料.
光波导 硅直接键合 SOI材料
中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
本实验采用脉冲准分子激光沉积(PLD)法,在193 nm波长,5 Hz频率,4 J/cm2能量密度条件下,分别在Si(100)和SiO2/Si衬底上成功地沉积Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,并在不同的条件下对PZT薄膜进行退火处理。用XRD,RBS,ASR等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。
脉冲激光沉积(PLD) 铁电薄膜
中国科学院上海冶金所离子束开放实验室, 上海 200050
以CW Ar+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
激光再结晶 SOM材料 压力传感器
