1 南昌大学物理系, 江西 南昌 330031
2 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
实验研究了低损耗硫系玻璃As2S3光纤的纤芯在532 nm近带隙光照射下的光敏性。实验结果表明,光开始照射时其纤芯的光致折射率变化朝负方向快速减小,然后随着光照时间延长,折射率变化朝正方向缓慢恢复增加。这两个过程经历的时间和折射率变化的大小均取决于光照功率。光照功率增大到一定阈值时,在恢复过程中,光致折射率变化出现正增加,且随光照功率继续增大和曝光时间延长,折射率变化可增加到约3×10
-3。另外,实验初步制备了As2S3光纤的布拉格光栅,曝光期间其中心波长先蓝移,后恢复并红移。同时,实验还发现,在近带隙光照下As2S3光纤出现光阻断效应现象, 其截止效率约为55%。
光纤光学 As2S3硫系玻璃光纤 光致折射率变化 光纤光栅 光阻断效应 中国激光
2018, 45(12): 1206003
中国工程物理研究院流体物理研究所, 四川 绵阳 621900
强激光在液晶材料中传输时易诱导非线性效应, 这种非线性效应对液晶器件光学性能有一定影响。高斯光束通过平行排列的5CB液晶材料后产生自衍射图像, 利用高速相机对不同光强的532 nm激光通过5CB液晶后的衍射图样成像, 获得了从激光作用瞬间到液晶温度达到清亮点附近时衍射图样的变化过程。通过衍射图样对液晶材料光致折射率变化的性质进行了分析。利用基尔霍夫衍射积分公式数值模拟研究了相应强度532 nm高斯光束通过非线性液晶材料后在衍射屏上的衍射图样, 并与实验结果进行了比对, 定性分析了液晶非线性对液晶器件性能的影响。
非线性光学 向列相液晶 衍射环 基尔霍夫衍射积分 光致折射率变化 nonlinear optics nematic liquid crystal diffraction rings Kirchhoff's diffraction integral optical-induced refractive index change
1 上海理工大学 光电学院, 上海 200093
2 中国科学院长春光机物理所应用光学国家重点实验室, 长春 130033
3 日本法政大学 工学院物质化学系, 日本 东京 184-8584
4 日本东京农工大学 工学院应用化学系, 日本 东京 184-8588
为了在As2S8薄膜中制备条形波导,实验研究了As2S8薄膜光致折射率变化和密度变化的现象,采用棱镜耦合、X线衍射和远红外反射光谱等测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。采用可见光吸收谱测试技术,确认了经紫外光辐照的As2S8薄膜不发生黑化现象。在归纳了实验规律的基础上,提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,采用自动调芯端面耦合的方法激励As2S8条形波导的导模,结果显示该波导具有良好的导波特性。
集成光学 光波导技术 As2S8条形波导 光致折射率变化
浙江大学信息与电子工程系,浙江,杭州,310027
初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量.当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm (1.31μm) 的传输光可以达到-10-2的折射率变化量级.与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗.
集成光学 全光开关 光致折射率 量子阱材料
1 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068
2 中国科学院研究生院,北京,100039
基因改性细菌视紫红质BR-D96N由于M态寿命的延长而具有显著的光致变色特性.根据Kramers-Kronig变换关系,样品吸收光谱的变化会引起样品折射率的变化.本文首先从实验上测量了BR-D96N薄膜样品在光激发前后的吸收光谱,然后根据Kramers-Kronig变换关系,理论计算了对应此光致变色光谱变化的光致折射率变化光谱.实验上为了直接测量样品的光致折射率变化,采用Michelson干涉方法测量BR-D96N薄膜在不同探测波?は碌墓庵抡凵渎时浠?并与理论计算曲线进行了比较.
细菌视紫红质 光致变色 Kramers-Kronig变换 光致折射率变化 Bacteriorhodopsin Photochromism Kramers-Kronig transformation Photoinduced refractive index change
中山大学光电材料与技术国家重点实验室和中山大学物理系, 广东 广州 510275
采用表面反射方法研究块状掺偶氮苯聚合物的光致折射率改变特性及其与光强的依赖关系。实验中,使用514 nm的圆偏振Ar+激光作为抽运光,632.8 nm的He-Ne激光(s偏振)作为探测光。通过改变探测光入射角,测量样品在固定光强(0.570 W/cm2)的前向抽运光激励下表面反射率的改变量,研究样品的折射率改变特性,发现样品的光致折射率改变约为-0.0035;研究了这种效应对抽运光强度的依赖关系,发现光致折射率改变随抽运光强度增大而增大,当抽运光强为0.800 W/cm2时,折射率改变量可达10-2量级。
非线性光学 光致折射率改变 表面反射方法 菲涅耳公式 偶氮苯聚合物
西北工业大学应用物理系光子学研究室,西安,710072
从实验上研究了不同外加直流电场作用下固液同成分的SBN: Cr和SBN: Rh晶体的光致折射率变化规律.测量结果表明:无外加电场作用时,晶体中的光致折射率变化不明显;若在光辐照晶体的同时,沿晶体c轴方向施加一定方向的外电场,则晶体中即刻出现显著的光致折射率变化.这种折射率变化随外加电场的增大而增大,并且电场方向不同,折射率变化的正负也不同.因而可以通过改变外加电场的极性和幅度控制SBN: Cr和SBN: Rh晶体中光致折射率的变化特性,这对于在该类晶体中制作动态光波导具有重要意义.
光致折射率变化 SBN: Cr晶体 SBN: Rh晶体 外电场
1 浙江大学现代光学国家重点实验室, 杭州 310027
2 中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
3 上海电缆传输研究所, 上海 200437
提出了一种光纤波导折射率渐变的新型锥形(Taper)耦合器件,其原理是基于光纤中Ge缺陷在紫外光照射下而产生的光致折射率的变化。利用光纤在高压、低温下渗氢技术使单模光纤的光致折射率变化△n达6×10-3数量级;通过控制曝光条件就可以在光纤中产生一定规律的锥形结构,使单模光纤的模场半径由4.8 μm缩小到3.2 μm。由耦合波理论分析表明该器件具有较好的基模传输特性。
光致折射率 锥形耦合器 模场半径 耦合波理论
