中国科学院半导体研究所光电子国家工艺中心,北京,100083
报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorption modulated distributed feedback laser,EML).在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了2.2 nm的连续调谐.在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于3 dB.采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3.2 nm的EML.如果热调谐与相调谐方法结合,可在较宽范围内实现波长快速调谐的EML.
DFB激光器 电吸收调制器 单片集成 热调谐 相调谐
国家光电子工艺中心 中国科学院半导体研究所 北京 100083
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26mA，最大光功率可达9mW，消光比可达16dB。减小端面的光反馈后，从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化，调制器部分的电容为1.5pF，初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化，可应用在2.5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。
选区外延 DFB激光器 电吸收调制器 脊型波导 单片集成
制作了一种以光纤光栅作为外反馈的半导体激光器。光纤光栅用紫外曝光法制作,反射率为50%。器件在50mA注入电流时,出纤功率高于1mW,主边模抑制比为42dB。使用对光纤光栅施加应变和改变光栅温度的方法实现了输出激光波长的调谐,利用施加应变方法得到了2nm范围的输出波长变化。
光纤光栅 半导体激光器 可调谐外腔结构
中国科学院半导体研究所光电子国家工艺中心,北京,100083
对于大容量的波分复用(WDM)光通信系统,精确控制波长及波长间隔是系统应用的关键.而对于信道间隔为0.8 nm的WDM系统,要求波长与ITU的标准偏差小于+0.01 nm.因此,波长可精确调谐的单模激光器成为必需.本文介绍了我们制作的两种波长可调谐的单模激光器:可调谐DFB激光器和可调谐DBR激光器.其中,可调谐DFB激光器采用的是热调谐方式,即改变DFB激光器的工作温度,实现了波长向长波方向连续移动2.2 nm;可调谐DBR激光器采用的是注入电流的方式,实现了6.5 nm的准连续调谐.……
中国科学院半导体研究所光电子国家工艺中心,北京,100083
本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth,SAG)方法,在SiO2作掩膜的InP衬底上选择生长出高质量的InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达6.5 nm的可调谐DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成(electroabsorption modulated DFB Laser,EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破.……
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利用一个一端镀有增透膜的F-P腔半导体激光器芯片和一段反射率为50%的光纤光栅组合成一混合腔激光器,腔长约为2 cm。在50 mA的偏置电流下,主边模抑制比为37.6 dB,出纤功率为1 mW。并对这种结构的激光器进行了初步的理论分析。
光纤光栅 混合腔 外腔
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京 100083
报道了用低压金属有机物化学气相淀积(in Chinese)LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6 mA。20～40 ℃时特征温度T0高达67 K,室温下外量子效率为0.3 mW／mA。
应变补偿 激光器
