制作了一种以光纤光栅作为外反馈的半导体激光器。光纤光栅用紫外曝光法制作,反射率为50%。器件在50mA注入电流时,出纤功率高于1mW,主边模抑制比为42dB。使用对光纤光栅施加应变和改变光栅温度的方法实现了输出激光波长的调谐,利用施加应变方法得到了2nm范围的输出波长变化。
光纤光栅 半导体激光器 可调谐外腔结构
中国科学院半导体所国家光电子工艺中心,北京 100083
利用一个一端镀有增透膜的F-P腔半导体激光器芯片和一段反射率为50%的光纤光栅组合成一混合腔激光器,腔长约为2 cm。在50 mA的偏置电流下,主边模抑制比为37.6 dB,出纤功率为1 mW。并对这种结构的激光器进行了初步的理论分析。
光纤光栅 混合腔 外腔
1 北方交通大学光波技术研究所, 北京 100044
2 中国科学院半导体所国家光电子工艺中心, 北京 100083
实验研制了针对波长248 nm KrF准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术,在双面抛光的石英基片上以CHF3/O2为反应气体,用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期1.085 μm的石英相位掩模器。实际测量表明其零级衍射效率被抑制到5.97%。
相位掩模 反应离子刻蚀 光栅
