本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法, 该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中, 以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效果, 验证了该方法的有效性。实验结果表明: 在腐蚀前的恒温时间段内, 向腐蚀剂通入干燥空气, 可加快腐蚀剂中水分的蒸发速度, 减轻水分对腐蚀反应的抑制作用, 使得部分潮解的KOH用于腐蚀外延片的效果优于未潮解的新鲜KOH; 在腐蚀时向腐蚀剂通入干燥空气, 可增加腐蚀剂中的溶解氧, 促进腐蚀时发生的氧化还原反应, 使得KOH腐蚀SiC衬底的效果近似于用KOH+Na2O2共熔体腐蚀得到的效果。本研究有效改良了传统KOH腐蚀方法, 对于稳定KOH腐蚀条件, 提高SiC位错腐蚀效果具有很好的实际应用价值。

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制，目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长(high temperature solution growth， HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势，有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一，目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth， TSSG)法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程，接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程，然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展，并归纳了该方法的优势，最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。

有机发光二极管(OLED)器件性能的提高一直是有机电致发光领域备受关注的研究课题之一, 通过优化OLED器件中的载流子平衡是提高OLED器件性能的一个非常重要的手段。但是, 调控空穴传输层或电子传输层中的分子取向, 从而优化器件中的载流子平衡未被关注。本文通过对空穴传输层进行不同温度的退火处理来改变空穴传输层中的分子取向, 研究分子取向对其空穴迁移率和OLED器件性能的影响。研究发现, 退火温度的升高使得空穴传输层中具有垂直取向的分子的比例增加, 促进了空穴迁移率的提高。当把具有不同分子取向的空穴传输层应用于OLED器件时, 可以清楚地观察到载流子平衡因子对器件性能的影响。

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能, 我们调整了器件结构, 使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率, 在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层; 然后, 在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层, 形成HAT-CN/NPB结构的PN结, 有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明, 在最佳掺杂比例(2%)下, 器件的外量子效率(EQE)达到4.92%, 接近荧光OLED的EQE理论极限值; 加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层, 使得器件的EQE达到5.37%; HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V), 将OLED器件的EQE提高到5.76%; HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率, 降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。

研究了弱信号条件下GPS软件接收机的C/A码的快速捕获问题。提出了一种高灵敏度快速捕获新算法，该方法首先采用平均相关技术降低C/A码的自相关损耗，基于载频误差补偿技术减小C/A码累积误差；然后利用叠加相关方法降低相干累积运算的复杂度，通过循环移位减小频率步进搜索的时间消耗。实验结果表明，该算法能够实现微弱GPS信号捕获，且运算量适中，捕获概率较高。

采用300 W准连续激光器对1.0 mm 厚的304不锈钢板进行拼接焊接试验, 对激光焊接工艺参数进行正交优化试验, 工艺参数为峰值功率3 000 W, 脉冲宽度6 ms, 离焦量2 mm时, 焊接接头达到最佳的抗拉强度为723.6 MPa, 高于母材。对焊缝微观组织进行分析, 焊缝中心位置呈细小等轴晶。

通过在有机发光二极管（OLED）的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(d nm)/NPB(40-d nm)/Alq3(70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)、ITO/ MoO3 (15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3 (70 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(40 nm)结构的器件，研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现，当缓冲层的厚度为15 nm时，器件的启亮电压从未加缓冲层的13 V降到了9 V，最大发光亮度从未加缓冲层的5900 cd/m2增加到16300 cd/m2，是原来的2.76倍。最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8 cd/A变为3.5 cd/A，是原来的1.94倍。然后在器件的氧化铟锡（ITO）与NPB之间插入了厚度为15 nm的MoO3缓冲层。与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8 V，最大亮度为13320 cd/m2，最大电流密度为6030.74 A/m2，最大的电流效率为3.06 cd/A。

为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为, 分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性, 以及分子有序排列对其发光特性的影响, 制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜, 研究了π-A等温曲线, 测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明, 分子以face-on形式平躺在亚相表面, 单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm, 归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁; 荧光发射峰位在396, 419, 445 nm(肩峰), 归属于发色团三聚氧杂蒽, 是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中, 吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比, 整体红移6 nm。结果表明: 在LB膜中, 两个分子形成激基缔合物, 与单分子状态相比, 激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比, 该材料在LB膜中有很强的荧光发射, 表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。

在实验上研究了不同材料构成的一维窄带光子晶体带隙特性，采用电子束热蒸发技术，制备了一系列可见光范围内的窄带光子晶体反射镜。实验结果表明：高低折射率比值能够影响光子晶体对相应频率光的抑制能力。折射率比值恒定时，随周期数的增多，最大反射率增大，带隙宽度减小；对于折射率比值不同的光子晶体，折射率比值越小，带隙越窄，达到高反射率所需的周期数目越多。通过构建异质结构光子晶体，显著缩小了光子晶体带隙，并使其在短周期内实现了窄帯高反射率。

从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料, 从理论上计算出杂质原子的波尔半径, 对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层, 制备了结构为ITO/NPB/Alq3/ZnS∶Ag-Al(x)/PBD/Al的有机电致发光器件, 分析了不同厚度的银铝共掺硫化锌电子传输层对器件发光强度的影响, 并对共掺硫化锌中载流子传输机制进行了分析。实验发现共掺硫化锌具有良好的空穴阻挡和电子传输性能。当银铝共掺硫化锌电子传输层厚度为8 nm时, 器件的相对发光强度和电致发光强度相对于没有电子传输层的器件分别增加了430倍和130倍, 器件的阈值电压也降低了4 V。与纯硫化锌作为电子传输层器件相比, 相对发光强度提高3倍。