为满足有源相控阵雷达中发射/接收(T/R)组件的小型轻量化发展要求，提出了一种新型的垂直互联结构。从工艺优化的角度，结合低温共烧陶瓷(LTCC)可制作腔体的特性，用高频结构仿真器 HFSS设计了半嵌入式球栅阵列(BGA)垂直互联结构，分析了半嵌入结构对垂直互联传输性能的影响。结果表明半嵌入式 BGA垂直互联结构，在 X波段回波损耗高于 24 dB，插入损耗低于 0.15 dB; 在 Ku波段，依然能实现回波损耗高于 20 dB，插入损耗低于 0.6 dB。该半嵌入式结构在优化工艺的同时，在 X-Ku波段的较宽频段内可实现良好的微波传输性能。

面对当前复杂场景下异常事件检测算法过度依赖帧级别标记,以及I3D模型耗时长、内存占用大等问题,设计了一种基于I3D的M-I3D模型并将其作为特征提取器,提出一种了基于深度时空特征和多示例学习的异常检测方法。所提方法将正常视频和异常视频作为包,并将视频片段作为多示例学习中的示例。利用M-I3D模型提取每个视频片段的特征,并将提取到的特征向量输入到三层全连接层中,进而自动学习一个深度异常排序模型,该模型可以预测异常视频片段的分数。此外,为了在训练过程中较好地定位异常,在排序损失函数中引入稀疏函数和约束性函数。结果表明,与其他方法相比,所提算法在UCF-Crime数据集上具有更高的准确率和更好的实时性。

有机-无机卤化铅钙钛矿多晶薄膜太阳能电池在近几年的研究中实现了光电转换效率的快速增长。然而，其多晶结构的活性层导致器件仍然遭受到表面和晶界位置缺陷引起的性能衰减。本研究借助两种有机氢碘酸盐，即苯乙基碘化胺(Phenethylammonium iodide,PEAI)和邻氟苯乙胺碘(2-Fluorophenylethylammonium iodide,o-F-PEAI)，在CH3NH3PbI3钙钛矿多晶薄膜表面形成钝化层。扫描电子显微镜和原子力显微镜分析结果显示，PEAI和o-F-PEAI处理后的钙钛矿薄膜晶界被钝化层明显填充，表面粗糙度也显著下降。另外，荧光寿命成像分析结果显示钝化后的钙钛矿薄膜具有更多的光子数和更长的荧光寿命。上述结果表明，PEAI和o-F-PEAI诱导的钝化层可以有效抑制多晶薄膜表面和晶界位置的缺陷复合行为。因此，钝化后的倒置结构钙钛矿太阳能电池器件功率转换效率(Power conversion efficiency,PCE)可以达到21%。此外，o-F-PEAI钝化处理后的器件由于氟离子的作用表现出更好的器件稳定性。

针对行人重识别中行人检测误差引起的空间错位,基于局部的深度网络模型仅学习相邻局部关系,导致远距离局部相关性缺失,因此,提出了一种结合一阶和二阶空间信息的行人重识别算法。在主干网络上,学习一阶空间掩模对输入图像的空间权值进行微调,以减少背景干扰;通过二阶空间掩模对远距离的依赖关系进行建模,并将局部特征集成到依赖模型中,以获取全局特征表示。局部分支引入DropBlock对抽取的行人特征进行正则化,避免了网络模型过于依赖特定部位特征。训练阶段用标签平滑分类损失和引入正样本中心的三元组损失联合优化整个网络。在Market-1501和DukeMTMC-reID数据集上的实验结果表明,相比其他主流算法,本算法的行人重识别精度更高,且提取的行人特征判别性和鲁棒性更好。

设计了一种在太赫兹波段下的四谐振环偶极子超表面结构，超表面的单元结构由一对反向的非对称开口谐振环(ASRR)及基底介质组成。在其谐振谱中观察到1个典型的类电磁诱导透明(EIT)现象。利用法诺(Fano)谐振模型对这种电磁诱导透明谐振谱进行拟合，良好的拟合结果揭示了不同谐振模式之间的耦合作用。此外，研究发现谐振的电磁特性对金属谐振环的开口间距非常敏感，开口间距的改变带来了谐振的频移和Q值的变化。该多谐振环偶极子超表面不仅为实现EIT效应提供了有效途径，而且有利于开发更多的太赫兹功能器件。

传统稠密轨迹算法在人体动作识别中取得了较大的成功,但是其在轨迹的形成过程中将动作产生的轨迹和背景运动导致的轨迹进行了相同处理,导致视频表示过于冗余,识别精度受限。为解决这一问题,首先分析背景运动与行为运动模式的差异性,以特征字典的稀疏系数矩阵为基础,利用低秩分解的方法得到稀疏误差矩阵,进一步求解出视频的显著图,然后以显著图作为依据仅在动作相关区域内形成显著性轨迹,并以此表征人体动作。最后基于公开数据集:UCF Sports数据集和YouTube数据集,验证了本文方法的有效性。

利用激光熔覆技术对Ni204进行了单道正交试验, 采用激光共聚焦显微镜测量熔道几何尺寸及组织, 采用方差分析不同工艺参数对试样形貌以及组织的影响。结果表明, 功率对熔宽、熔深影响最显著; 扫描速度对熔高、宽高比(W/H)、润湿角影响最显著; 能量密度过小时, Ni204合金粉末在基体上没有形成熔池, 熔池边界处组织为柱状晶, 熔池内组织生长时间短且不易再结晶, 熔池内为枝晶。通过分析, 最优工艺参数组为Lp＝750 W, Pfr＝0.8 r/min, Ss＝480 mm/min与Lp＝900 W, Pfr＝1 r/min, Ss＝480 mm/min。可以在保证横向、纵向搭接的同时又不降低熔覆效率。

提出局部接地和传热模式下介质深层充电的建模方法,选取常用聚酰亚胺材料模拟空间高能带电粒子的辐照情况, 研究了局部接地和传热情况下介质的深层充电特性。仿真结果表明: 温度在183.15～363.15 K范围时,电位峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较大； 温度在183.15～273.15 K范围时,场强峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较大；温度在273.15～363.15 K范围时,场强峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较小, 但仍存在放电风险,场强峰值接近甚至超过106 V/m。仿真结果为星用热控材料的合理布局及太阳电池阵玻璃盖片的热防护和带电防护提供了参考。

在真空和不同温度条件下,通过电子枪辐照的方式对聚酰亚胺材料进行表面充电,测量其表面电位随时间的衰减特性。 得到了聚酰亚胺材料电导率随温度的变化规律,并结合等温表面电位衰减理论计算了其在不同温度下的陷阱分布规律。随着温度的升高,聚酰亚胺的浅陷阱数量逐渐增多, 深陷阱数量逐渐减少。浅陷阱的变化规律与聚酰亚胺电导率成正比,即浅陷阱越多,载流子的迁移作用越强。研究结果可为聚酰亚胺材料抗老化和防沿面闪络的 改性设计提供有利参考。