国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南,长沙,410073
用波长为1 064 nm、脉宽为5 ms的激光辐照SONY ICX055BL可见光硅CCD器件,实验中由图像采集卡采集得到相机的视频输出,同时用示波器检测ICX055BL的输出信号和垂直输出时钟信号.结果表明,在脉冲激光的辐照下,器件比较容易被破坏.研究中将器件作为一个功能整体,破坏机理分析不只局限于CCD的探测、电荷存储、电荷转移的MOS结构部分.结合实验结果和CCD器件的电路特点,初步判断该器件的破坏机理为电路破坏,脉冲激光所产生的信号电荷冲坏了复位的场效应管,使器件整体永久失效.
脉冲激光 可见光CCD 破坏机理 电路 场效应管 Pulsed laser Visible-light CCD Damaging mechanism Circuit FET 强激光与粒子束
2005, 17(10): 1457
国防科学技术大学,理学院,湖南,长沙,410073
从非线性光学的耦合波理论出发,建立了种子光入射的窄带泵浦的横向受激布里渊散射的二维理论模型,并对稳态情形进行了数值模拟,得到了散射光强的二维分布.计算表明,散射光场在入射面内呈现出"局部集中"的特点,而且由于"空间压缩"效应,使得获得的最大散射光强远大于初始泵浦光强.还分析了光场及材料参数对获得的散射光强的影响,得出:入射的激光功率密度越大,光学元件的横向尺寸越长,材料的吸收系数越小,受激散射产生的散射光和弹性声波强度就越大,在材料内部引起的应力也越强,从而越有可能造成材料的破坏.
光学材料 横向受激布里渊散射 强激光系统 激光诱导破坏 Optical materials Transverse SBS Intensive laser systems Laser induced damage
