1 天津大学 电子信息工程学院， 天津 300072
2 天津工业大学 信息与通信工程学院， 天津 300161
采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂，与p衬底形成两个相对的n+p结，其中一个结正向偏置，发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在10 mA偏置电流、3 V调制电压下，可获得1 nW的光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成，在光电集成领域具有一定的应用前景。
硅基LED 标准CMOS 发光器件 正向注入发光 光电集成 Si-LED standard CMOS light emitting device carrier injection OEIC
1 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072
2 中国电子科技集团公司第13研究所, 河北 石家庄 050051
3 天津工业大学信息与通信工程学院, 天津 300160
由于半导体微环激光器(SML)具有波长转换、可调谐和光学双稳态等特点，因此成为全光逻辑和全光存储领域的研究热点。在分析背散射耦合系数与SML工作区域（双向连续波、双向交替振荡和单向双稳态）的基础上，优化设计了环形谐振腔的结构参数和工艺流程，研制出一种低阈值、直接进入单向双稳态工作的InP基微环激光器。测试结果表明，激光器的中心激射波长为1569.65 nm，阈值电流为56 mA，当驱动电流超过阈值电流后，器件可不经过双向工作区直接进入单向双稳态，降低了双稳态工作的电流和功耗，非常适合用作光随机存储器单元。
激光器 光学微腔 微环激光器 低阈值 单向双稳态 磷化铟
