1 天津大学 电子信息工程学院， 天津 300072
2 天津工业大学 信息与通信工程学院， 天津 300161
采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂，与p衬底形成两个相对的n+p结，其中一个结正向偏置，发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在10 mA偏置电流、3 V调制电压下，可获得1 nW的光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成，在光电集成领域具有一定的应用前景。
硅基LED 标准CMOS 发光器件 正向注入发光 光电集成 Si-LED standard CMOS light emitting device carrier injection OEIC
1 13th Institute of China Electronic Technology Group Corporation, Shijiazhuang 050051, China
2 Institute of RF&OEICs, Southeast University, Nanjing 210096, China
3 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China
Frontiers of Optoelectronics
2008, 1(3): 336
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
Institute of Semiconductors, Academia Sinica, Beijing 100083, CHN
