1 西安电子科技大学微电子所, 西安 710071
2 西安交通大学电子工程系, 西安 710049
3 中国科学院半导体研究所博士后流动站, 北京 100083
根据受抑全反射的光学隧道效应和Goos-Hanchen位移分析SOI全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体戏散效应，p-n结大注入效应的基础上，分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构参数和电学参数。
全内反射 模型
1 西安电子科技大学微电子所, 西安 710071
2 西安交通大学电子工程系, 西安 710049
根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出SOI波长信号分离器，在波长为1.3 μm时，其插入损耗为4.81 dB，串音小于-18.6 dB。
集成光学 光通讯 光信号分离器
1 西安电子科技大学微电子所, 西安 710071
2 西安交通大学电子工程系, 西安 710049
3 西安交通大学电子工程系, 西安 710049
提出一种简便可行的GexSi1-x异质结无间距定向耦合光开关(BOA型-bifurcation optical active)模型分析方法。该方法采用等离子体包散效应分析了这种光开关的电学调制机理；采用异质结超注原理分析了开关的电学性质；并根据典单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.05Si0.95/Si异质结BOA型光开关的结构参数和电学参数。
GexSi1-x/Si异质结 BOA开关 模型
1 西安交通大学电子工程系, 西安 710071
2 西安电子科技大学微电子所, 西安 710071
提出了一种简便可行的SOI(Silicon on Insulator)无间距定向耦合光开关(BOA型——Bifurcation Optique Active)模型分析方法.采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理；而用pn结大注入效应分析开关的电学性质；并根据大截面单模SOI脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的这种器件的结构参数和电学参数.
无间距定向耦合光开关 模型
报道了硅片直接键合(SDB)SOI大截面单模脊形互型分支波导的研制.对于波长为1.3 μm的光,在θ=2°小分支角时,这种分支波导的通道串音小于-20 dB,辐射损耗小于0.3 dB.直通传输损耗小于0.85 dB/cm.
脊形X型分支波导 集成光学
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运用有效折射率法和微分法分别对全硅矩形截面脊形波导的模式特性和模吸收损耗系数作了分析.通过乙二胺-邻苯二酚水溶液(EPW)各向异性腐蚀的方法,研制成了矩形截面脊形全硅光波导,并对其损耗特性进行了研究和讨论.
硅 脊形波导 集成光学 吸收损耗
1 西安电子科技大学微电子所, 西安 710049
2 西安交通大学电子工程系, 西安 710049
报道了硅片直接键合SOI单模梯形大截面脊形波导的研制.对于波长为1.3 μm的光，这种脊形波导的传输损耗小于0.85 dB/cm.
脊形波导 集成光学
