利用碲镉汞（HgCdTe）体晶材料，采用HgCdTe 材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术，设计并研制出了热电制冷型13 元HgCdTe 中波红外光导探测器。在－50℃时，峰值电压响应率可达2.7×104 V/W，峰值探测率达到2.3×1010 cm·Hz1/2·W－1，响应波段在3.0～4.6 μm 之间，峰值响应波长为4.2 μm。
红外探测器 碲镉汞 热电制冷 infrared detectors HgCdTe thermoelectric cooled
1 昆明物理研究所，云南 昆明 650223
2 浙江大学光电工程学院，浙江 杭州 310013
从光学设计的角度出发，介绍了冷屏杂散辐射抑制的基本原理。基于几何光学的基本原理，应用ASAP 软件的计算机仿真模拟手段进行实际的光学系统建模，在现有冷屏设计的基础上，仿真具有不同挡光环个数和不同开孔形状的挡光环的冷屏，分析筛选杂散辐射抑制效果最好的冷屏，在尽量减轻重量、减小体积的前提下，获得尽可能好的消杂散辐射效果。
红外焦平面 杜瓦冷屏 杂散辐射抑制 挡光环 IRFPA cold field of dewar stray radiation suppression baffle ASAP ASAP
