1 北京有色金属研究总院 北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京 100088
2 天津大学 理学院 物理系,天津 300072
为了获得高质量的KMgF3晶体,采用提拉法,在CF4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析,并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知,晶体生长过程中的主要挥发物为KF,析晶率较大时的结晶余料中出现MgF2相,红外光谱中未出现OH-的吸收,但COH的吸收比较明显。结果表明,CF4气氛有利于KMgF3晶体生长过程中H2O等氧源的消除,生长过程中有效地抑制KF的挥发并适当地补充KF,是KMgF3晶体生长中不可忽略的问题。
材料 晶体生长 提拉法 红外光谱 CF4气氛 KMgF3晶体 materials crystal growth Czochralski method infrared spectra CF4 atmosphere KMgF3 crystal
报道了在Ar与CF4混合气氛中成功地生成出高质量的Nd∶LiYF4晶体,并比较了在单一Ar气氛和Ar与CF4混合气氛中生长的LiYF4晶体的差别.X射线衍射表明,在单一Ar气氛中产生的不纯物质主要是氟氧化合物,Ar与CF4混合气氛中,此种不纯物质能够被有效地消除.
LiYF4晶体 晶体生长 生长气氛 氟氧化合物
1 天津大学理学院物理系,天津,300072
2 华北光电技术研究所, 北京,100015
3 河北建筑科技学院电子系,邯郸,056038
报道了在CF4气氛中生长的掺Ce3+的LiM(M=Ca,Sr)A1F6晶体和掺Ce3+的LiSr0.8 Ca0.2AlF6混晶,以及Ce3+在这些晶体中的紫外吸收光谱及有效分凝系数.Ce3+:LiSr0.8Ca0.2AlF6在240～280 nm波长范围内有连续展宽的吸收带,它的有效分凝系数为0.037.Ce3+的吸收带展宽是由于Ce3+替代晶体中二价离子位引起的,表明Ce3+在Colquiriite结构的晶体中替代的是二价位.
Colquiriite结构晶体 紫外吸收光谱 有效分凝系数
