在采用柴式(Czochralski, CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中，掺杂剂—— As具有较强的蒸发性。 为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响，需要测定As的蒸发速率常数。通过实验测量 给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线，然后对实验曲线进行了线性回归分析，得到了 重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43×10－4 cm/s)。该结果在实际应用中被验证是正确而有 效的，这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义。
重掺As单晶硅 蒸发速率常数 线性回归分析 有效分凝系数 heavily As-doped silicon crystal evaporation rate constant linear regression analysis effective segregation coefficient
1 天津大学理学院物理系,天津,300072
2 华北光电技术研究所, 北京,100015
3 河北建筑科技学院电子系,邯郸,056038
报道了在CF4气氛中生长的掺Ce3+的LiM(M=Ca,Sr)A1F6晶体和掺Ce3+的LiSr0.8 Ca0.2AlF6混晶,以及Ce3+在这些晶体中的紫外吸收光谱及有效分凝系数.Ce3+:LiSr0.8Ca0.2AlF6在240～280 nm波长范围内有连续展宽的吸收带,它的有效分凝系数为0.037.Ce3+的吸收带展宽是由于Ce3+替代晶体中二价离子位引起的,表明Ce3+在Colquiriite结构的晶体中替代的是二价位.
Colquiriite结构晶体 紫外吸收光谱 有效分凝系数
