针对单幅图像中存在非正常曝光的问题，在去雾模型能够有效解决图像曝光校正问题的理论指导下，对去雾模型中的透射率进行改进，提出了一种基于反转融合框架的图像曝光校正方法。首先，对过度曝光的局部高亮光源进行雾度建模，采用改进去雾模型完成过度曝光校正任务；针对曝光不足校正问题，通过反转操作得到伪雾图像。然后联合去雾模型及视网膜大脑皮层（Retinex）理论和去雾方法间的对偶性得到曝光不足区域校正的结果图像。最后，借助多尺度图像融合技术生成新的金字塔权重图，利用拉普拉斯金字塔重建图像得到最终的校正结果。将所提方法与四种主流图像校正方法进行对比，结果表明，该方法能够有效解决单幅图像中的非正常曝光问题，并且最大限度减少图像失真、光晕伪影等因素的干扰。

通过简单的溶剂热法,在不添加任何表面活性剂的情况下,系统地研究吡啶、甘露醇、聚乙二醇和乙二醇四种溶剂对Bi2WO6辐射防护材料的影响。并利用XRD,SEM,TEM,HRTEM和DRS等分析技术对Bi2WO6晶体的组成、形貌、比表面积和禁带宽度等进行了表征。实验结果表明,溶剂对防护材料的形貌、光致发光性能和辐射防护性能有较大影响。选用吡啶作为溶剂,有利于材料形成不规则纳米球,提高其结晶度、光致发光强度及γ射线屏蔽率。该形貌下PS/Bi2WO6材料对155Eu和22Na混合点源的105.310 keV的γ射线屏蔽率达54.17%,已高于传统防护材料PbWO4。

在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件, 30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm), 对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态, 在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用, 使得器件形成高的光导增益。

为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制, 利用低压MOCVD设备, 在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长, 获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜, 把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV, 覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明, 这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400 ℃)。 Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm, 截止波长295 nm。

由于在日盲紫外探测方面的应用前景, 具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明: Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相, 其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、［001］MgZnO‖［1210］sapphire和［110］MgZnO‖［0001］sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件, 获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。

MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底, 是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相, 分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜, 研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能的影响。研究发现, 450 ℃的原生样品经过550,650,750,850 ℃氧气氛退火后, 薄膜的结晶特性和表面形貌得到明显的改善。随着退火温度的增加, 薄膜吸收截止边逐渐蓝移, 带隙展宽。X光电子能谱分析发现, 随着退火温度增加, Zn含量逐渐减小, 这种现象被归结为组分蒸汽压的差异。在退火温度达到950 ℃时, 样品发生了分相, 出现了低Mg含量的六角相MgZnO。