利用C60和CuPc形成有机半导体异质结作为阳极ITO修饰层, 制备了高效绿色磷光有机发光二极管(OLEDs)。与常规MoO3阳极修饰层相比, C60(5 nm)/CuPc(25 nm)面异质结修饰器件的最大电流效率和外量子效率(EQE)提高了12%和11%, 分别为60 cd/A和16.8%; 而CuPc∶C60 (30 nm, 50%)体异质结修饰器件则提高了26%和27%, 分别为67 cd/A和19.3%。高的器件效率一方面归因于C60与CuPc异质结界面处积累的电荷会在电压的作用下形成高效的电荷分离和空穴注入, 另一方面归因于异质结具有吸收绿光光子形成光生载流子的光伏效应。利用CuPc∶C60体异质结修饰阳极的器件由于具有更高效的电荷积累、更合适的空穴传输性、更平衡的载流子复合和更好的光伏特性, 器件效率要比C60/CuPc更优。研究表明, 这种基于C60与CuPc 的有机半导体异质结可作为优越的ITO阳极修饰层。

利用近红外光谱技术,对冷冻和解冻状态的不同等级白姑鱼糜进行等级评定.采用一阶导数法和标准正态变量变换法进行光谱预处理,再对预处理后的数据进行主成分分析,以主成分分析-马氏距离模式识别方法建立不同等级白姑鱼糜的等级评定模型,并对7项理化指标(水分、蛋白质、粗脂肪、盐溶性蛋白、凝胶强度、持水率和白度值)进行了测定.结果表明,主成分分析可以将三个等级白姑鱼糜较好地区分开;冷冻状态白姑鱼糜建立的等级评定模型效果优于解冻状态白姑鱼糜,前者的综合预测正确率为96.3%,后者的综合预测正确率为83.3%;三个等级白姑鱼糜的理化指标存在一定的差异.研究表明,近红外光谱技术可以快速无损评定白姑鱼糜等级。

水产品的新鲜程度是评价其品质优劣的重要指标, 传统的评价方法费时、 费力, 无法满足实际的需求。 本实验采用近红外光谱分析技术(NIRS)对冰鲜大黄鱼(Pseudosciaena crocea)不同贮藏时间下的新鲜度进行评价, 以挥发性盐基氮(TVB-N)作为新鲜度的评价指标, 比较了不同预处理方法单独或联合使用、 不同建模方法以及不同波数范围所建模型定标集与验证集的相关系数与标准偏差, 构建了最优市售冰鲜大黄鱼TVB-N定量模型, 以期快速预测其新鲜度。 研究表明, 使用趋近归一化结合一阶导数(Ncl + Db1)和单位长度归一化结合一阶导数(Nle + Db1)作为光谱预处理方法, 偏最小二乘法(PLS)作为建模方法以及选择波数范围5 000～7 144 cm-1, 7 404～10 000 cm-1时可以达到最佳建模效果, 其定标集相关系数为0.992, 校正标准偏差(SEC)为1.045, 验证集相关系数为0.999, 预测标准偏差(SEP)为0.990。 本试验尝试将多种光谱预处理方法结合起来使用并对波数范围进行了筛选, 得到的模型效果良好, 在大黄鱼新鲜度检测及品质评价方面具有较好的市场应用前景。

为实现静电纺丝纳米纤维生物支架的可控制备, 实验研究了不同溶剂挥发速度对聚己酸内酯(Polycaprolactone, PCL)纳米纤维直径和纤维沉积面积的影响。首先, 使用挥发速度不同的溶剂分别配制相同浓度的PCL纺丝溶液, 在外加电压为15 kV, 纤维接收距离为12 cm的条件下进行静电纺丝; 然后, 利用钨灯丝扫描电镜测量所制备的纳米纤维直径和沉积面积, 并使用最小二乘法拟合计算实验数据, 推导出溶剂挥发速度与纤维直径和纤维沉积面积的比例关系。结果表明, 随着溶剂挥发速度的增加, 纳米纤维的平均直径从98 nm(标准偏差为21.14 nm)上升到205 nm(标准偏差为38.83 nm),溶剂挥发速度与纤维直径的比例关系为: d∝N0.25i; 纤维的沉积面积从143 cm2下降到35 cm2, 溶剂挥发速度与纤维沉积面积的比例关系为: S∝N-0.18i。实验结果和建立的比例关系式能够为纳米纤维生物支架的可控制备提供可靠的数据基础和理论指导。

介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性，称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性，包括表观电容、串联电阻和理想因子。实验结果表明，对于GaN基和GaAs基半导体激光器，其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程。进一步实验结果表明，GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子。这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度。该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导。

为了实现多部电梯的更节能更高效的运行,重点分析了以LPC2138-32 bit ARM为平台、以模糊控制为基础的多部电梯同时运行时梯群控制系统的的控制策略,通过对梯群模糊控制的分析识别出电梯交通模式,然后采用ETA算法得出最佳评价函数,再根据设定的规则集算出最佳电梯。依据该策略能够实现对电梯的智能选择、基于红外探测的智能停层,使用户在最短的时间内达到目的楼层。对于已经安装完成的ARM平台的梯群控制系统,该方案可嵌入应用以节省成本。

在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构, 并分别制作了脊形波导GaN基激光器。 同步辐射X射线衍射, 电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明, 相对于GaN垒材料, InGaN垒材料, AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量, 提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。 相关的机制为： 组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加, 阱区收集载流子的能力增强； In的掺入能更多地补偿应力, 减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度； In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场, 电子空穴波函数空间交叠得以加强, 使得辐射复合增加。

观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量，分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现：同一样品在N2气氛中高温退火，UVL峰强随退火温度的升高，先增至饱和继而急剧下降，峰位红移；而在相同退火条件下，随着掺杂Mg的流量增加，样品空穴浓度下降，峰强减弱，峰位红移。结果表明：UVL峰是来自于易热分解的浅施主(VNH)与浅受主(MgGa)之间的跃迁，并受到深施主(MgGaVN)与浅受主(MgGa)自补偿效应的影响。实验上随着PL光谱激发强度的增强，UVL峰位约有260 meV的蓝移，结合超晶格极化场下的能带模型分析，认为这是极化效应导致的锯齿状能带中，VNH与MgGa之间跃迁方式的改变引起的现象。