厦门乾照光电股份有限公司, 福建 厦门 361101
通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法, 设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管, 有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR层组成, 经过理论分析和计算, 与传统ITO+DBR结构器件相比, 在400~550nm波长范围、全角度入射时平均反射率Rave从86.25%提升到了96.71%。实验制备了传统ITO+DBR结构和ODR结构的3颗芯粒串联的高压倒装氮化镓基 LED器件, 尺寸为0.2mm×0.66mm, ODR结构器件的有效反射结构面积增加了4.8%, 饱和电流增加了12mA, 用3030支架封装后在30mA的测试电流下, 电压降低了0.163V, 辐射功率提升了3.78%, 在显色指数均为71时光效提升了5.42%。
ODR结构 高压倒装 双绝缘层 发光二极管 ODR structure high-voltage flip-chip double ISO layers light-emitting diodes
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对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现, 采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量, 从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻。此外, 采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心, 从而提高850nm红外发光二极管的亮度和寿命。
多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延 multi-step variable growth rate method current-spreading layer LED MOVPE
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130000
2 乾照光电股份有限公司, 江苏 扬州 225000
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al, 在Al组分为0.4时, 利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm, 纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明, 在20mA注入电流下, 器件外量子效率比粗化前提高了80%。
选择性腐蚀 湿法腐蚀 表面粗化 外量子效率 AlGaInP AlGaInP selective corrosion wet chemical etching surface roughening external quantum efficiency
