针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象, 进行了相应的实验研究分析。 采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜, 对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。 利用X射线多晶衍射仪(XRD)、 光致发光谱(PL)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱测试, 系统的分析了不同退火温度对ALD法制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性能的影响。 XRD测试结果表明: 退火温度为600 ℃时, 薄膜的晶体质量得到改善, 且(100)衍射峰的强度明显增强。 结合PL和UV-Vis吸收光谱的测试分析得出: 退火温度为600 ℃时, 能明显促进薄膜中Mg组分的增加使薄膜的禁带宽度进一步增大。 从而说明适当温度的退火处理可有效的改善ZnMgO薄膜的晶体质量及光学特性。

以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料，采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂，并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、光致发光谱(PL)及紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等测试手段对材料物性进行表征。实验结果表明：当掺杂Cd2+时，样品形貌发生变化、粒径减小; 掺杂Cd2+后的ZnO的吸收边和紫外峰对比于纯ZnO均发生红移，禁带宽度由324 eV 减小到316 eV。通过光催化实验分析可知，掺杂后纳米ZnO光催化剂对罗丹明B 水溶液的降解率有所提高，光照3 h其降解率高达98%，说明与纯ZnO相比，Cd掺杂ZnO纳米花具有更高的光催化活性。

采用水热法制备了ZnS∶Mn量子点, 探讨了掺杂离子浓度对ZnS∶Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。 通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明: 掺杂离子的摩尔分数达到2%时, ZnS∶Mn量子点在595 nm附近的发光最强; 继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌, 发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面团聚现象得到改善, 并且尺寸单一、单分散性较好, 平均粒径约为5 nm。经过修饰后的样品减少了表面非辐射性缺陷中心, 使掺杂Mn2+所引起的595 nm附近的发射峰强度增大。 将MPA修饰后的ZnS∶Mn量子点与牛血清白蛋白(BSA)分子进行生物偶联, 并利用BCA法对偶联上的蛋白含量进行定量检测, 结果显示经过修饰后的量子点偶联蛋白的能力更强。