为了提高紫光CsPbCl3纳米晶的发光热稳定性，研究了不同掺杂浓度的Ni离子对CsPbCl3纳米晶的结构和发光性质的影响。通过改变Ni/Pb进料量比，在190 ℃温度下制备出不同浓度Ni掺杂的CsPbCl3 (Ni∶CsPbCl3)纳米晶。发现随着Ni/Pb进料量比的增加，Ni∶CsPbCl3纳米晶的405 nm发光量子效率得到了较大的提高，高达54%，但当Ni/Pb进料比超过4∶1之后，Ni∶CsPbCl3纳米晶的发光量子效率开始下降，这是由于氯化镍的浓度过高，影响了CsPbCl3纳米晶的成核和生长过程。还观察到，随着Ni/Pb进料比的增加，Ni∶CsPbCl3纳米晶的平均尺寸逐渐减小，晶格变得更加有序。通过对不同浓度的Ni∶CsPbCl3纳米晶的变温光谱测量，发现Ni离子明显地减少CsPbCl3纳米晶的发光热猝灭，有效地改善了其发光热稳定性。实验结果表明，Ni离子掺杂有效地提高了紫光CsPbCl3纳米晶的发光效率，可能归因于Ni离子掺杂减少了CsPbCl3纳米晶中的缺陷。

研究了不同Mn/Pb量比的Mn掺杂CsPbCl3 (Mn∶CsPbCl3)钙钛矿量子点的发光性质。Mn/Pb的量比增加引起的Mn2+发光峰的红移, 被认为是来源于高浓度Mn2+掺杂下的Mn2+-Mn2+对。进一步研究了Mn∶CsPbCl3量子点的发光效率与Mn/Pb的量比之间的关系, 发现随着量比达到5∶1时, 其发光效率明显下降。这种发光效率下降是由于Mn掺杂浓度引起的发光猝灭。Mn∶CsPbCl3量子点的变温发光光谱证实, 随着温度的升高, Mn离子发光峰蓝移, 线宽加宽, 但其发光强度明显增加。

制备了Mn掺杂Zn-In-S量子点并研究了Zn/In的量比和反应温度对其发光性质的影响。在Mn掺杂的Zn-In-S量子点的发光谱中观测到一个600 nm发光带。通过改变Zn/In的量比,掺杂量子点的吸收带隙可从3.76 eV(330 nm)调谐到2.82 eV(440 nm),但600 nm发光峰的波长只有略微移动。这些掺杂量子点的最长荧光寿命为2.14 ms。当反应温度从200 ℃增加到230 ℃时,掺杂量子点的发光强度增加并达到最大值;而继续升高温度至260 ℃时,发光强度迅速减弱。此外,测量了Mn掺杂Zn-In-S量子点的变温发光光谱。发现随着温度的升高,发光峰位发生蓝移,发光强度明显下降。分析认为,Mn掺杂Zn-In-S量子点的600 nm发光来自于Mn2+离子的4T1和6A1之间的辐射复合。

测量了CdSe/ZnS (3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS (3 ML)/ZnCdS (1 ML)/ZnS (2 ML) 核/多壳层结构量子点在80～460 K范围内的光致发光光谱, 研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系, 发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点, 具有更好的发光热稳定性。此外, 在300-460-300 K加热-冷却循环实验中, CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少, 热抵御能力更强。

研究了倒置器件结构以及CdSe量子点发光材料与金属纳米粒子之间的相互作用对量子点的电致发光性能的影响。利用TiO2作为电子传输/注入层，成功地制备了倒置结构的量子点电致发光器件。通过对单载流子器件电压-电流特性的分析，证明了ITO作为阴极到TiO2的电子注入特性与Al作为阴极时的效果几乎相同。观察到金属纳米粒子产生的局域等离子体效应提高了器件的效率，使得效率随电流增大而降低的速度明显减小。在电流密度为200 mA/cm2时，电致发光器件的效率大约提高了42%。

测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100～300 K温度范围内的光致发光光谱，研究了ZnCuInS量子点的发光机理，对ZnCuInS量子点的发光峰值能量、线宽和积分强度与温度的关系进行了细致的分析。在ZnCuInS量子点中观察到一种反常的发光峰值能量随着温度升高而增加的现象，同时发现ZnCuInS量子点的发光线宽很宽，约为300 meV，拟合积分强度与温度的关系曲线所得到的激活能为100 meV。这些结果表明，ZnCuInS量子点的发光不可能只来源于一种发光中心，而应该是来源于ZnCuInS量子点内部及表面的多种缺陷相关的多种发光中心组合。