Author Affiliations
Abstract
1 Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China
2 Center of Materials Science and Optoelectronic Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
3 Department of Physics, Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai University of Electric Power, Shanghai 200090, China
4 State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China
5 CAS Center for Excellence in Ultra-Intense Laser Science, Shanghai 201800, China
Two-dimensional (2D) Sn-based perovskites are a kind of non-toxic environment-friendly emission material with low photoluminescence quantum yields (PLQYs) and enhanced emission linewidths compared to that of 2D Pb-based perovskites. However, there is no work systematically elucidating the reasons for the differences in the emission properties. We fabricate and having different defect densities and different exciton-phonon scattering intensities. We also reveal that 2D Sn-based perovskites have stronger exciton-phonon scattering intensity and higher defects density, significantly broadening the emission linewidth and accelerating the exciton relaxation process, which significantly reduces the PLQY of 2D Sn-based perovskites.
temperature-dependent photoluminescence spectra transient absorption spectra defect state exciton-phonon scattering two-dimensional perovskites Chinese Optics Letters
2022, 20(2): 021602
四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064
本文研究了重离子辐照前后SiO2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36 nm和90 nm的SiO2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变; 在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80 K时出现了一个新的光致发光峰。
重离子 SiO2/Si结构 变温光致发光 swift heavy ions SiO2/Si structure temperature-dependent photoluminescence spectrum
1 东北大学 理学院,辽宁 沈阳110819
2 吉林师范大学 功能材料物理与化学教育部重点实验室,吉林 四平136000
制备了Mn掺杂Zn-In-S量子点并研究了Zn/In的量比和反应温度对其发光性质的影响。在Mn掺杂的Zn-In-S量子点的发光谱中观测到一个600 nm发光带。通过改变Zn/In的量比,掺杂量子点的吸收带隙可从3.76 eV(330 nm)调谐到2.82 eV(440 nm),但600 nm发光峰的波长只有略微移动。这些掺杂量子点的最长荧光寿命为2.14 ms。当反应温度从200 ℃增加到230 ℃时,掺杂量子点的发光强度增加并达到最大值;而继续升高温度至260 ℃时,发光强度迅速减弱。此外,测量了Mn掺杂Zn-In-S量子点的变温发光光谱。发现随着温度的升高,发光峰位发生蓝移,发光强度明显下降。分析认为,Mn掺杂Zn-In-S量子点的600 nm发光来自于Mn2+离子的4T1和6A1之间的辐射复合。
掺杂量子点 纳米晶 荧光寿命 变温光致发光 doped quantum dots nanocrystals Mn∶Zn-In-S Mn∶Zn-In-S photoluminescence lifetime temperature-dependent photoluminescence
1 东北大学 理学院, 辽宁 沈阳110819
2 功能材料物理与化学教育部重点实验室 吉林师范大学, 吉林 四平136000
测量了CdSe/ZnS (3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS (3 ML)/ZnCdS (1 ML)/ZnS (2 ML) 核/多壳层结构量子点在80～460 K范围内的光致发光光谱, 研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系, 发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点, 具有更好的发光热稳定性。此外, 在300-460-300 K加热-冷却循环实验中, CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少, 热抵御能力更强。
量子点 纳米晶 温度依赖的光致发光 CdSe CdSe quantum dots nanocrystals temperature-dependent photoluminescence spectrosco
1 东北大学 理学院， 辽宁 沈阳 110819
2 发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春 130033
测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100～300 K温度范围内的光致发光光谱，研究了ZnCuInS量子点的发光机理，对ZnCuInS量子点的发光峰值能量、线宽和积分强度与温度的关系进行了细致的分析。在ZnCuInS量子点中观察到一种反常的发光峰值能量随着温度升高而增加的现象，同时发现ZnCuInS量子点的发光线宽很宽，约为300 meV，拟合积分强度与温度的关系曲线所得到的激活能为100 meV。这些结果表明，ZnCuInS量子点的发光不可能只来源于一种发光中心，而应该是来源于ZnCuInS量子点内部及表面的多种缺陷相关的多种发光中心组合。
量子点 纳米晶 变温光致发光 ZnCuInS ZnCuInS quantum dots nanocrystals temperature-dependent photoluminescence
基于实验和理论模拟研究了12～320 K温度范围内八羟基喹啉铝[tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum,Alq]和一种高效红光染料甲基2叔丁基6(1,1,7,7四甲基久咯呢定基9烯基)4H1吡喃[4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran,DCJTB]的光致发光(photoluminescence,PL)随温度的变化,提出三种不同电荷分离程度的激子参与的Alq的稳态光致发光过程,通过拟合参量得到了三种激子的能量差值和辐射复合几率之比,观察并解释了DCJTB发光光谱从200 K以下到室温的升温过程中发生的蓝移。认为变温光致发光有可能用于评估材料的发光和导电性能,比较并讨论了有机和无机发光材料激子发光的温度特性,认为低温下小分子发光材料倾向于分子态,随温度升高逐渐向半导体态转变,Alq在150～190K之间开始发生这种转变,而DCJTB则从300～320 K开始。
发光学 有机半导体 变温光致发光 激子
