采用射频(RF）等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品，在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点。低温电子顺磁共振(EPR)结果表明，磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷。Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部，且磷杂质具有更高的掺杂效率；通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米硅的导电类型和载流子浓度。在小尺寸磷/硼共掺杂纳米硅中获得了1 200 nm处满足光通信波段的近红外发光，并通过调控磷的掺杂浓度实现了近红外发光的增强。通过时间分辨荧光光谱测试，结合EPR结果探讨了磷掺杂对纳米硅内部辐射复合和非辐射复合过程的调控使1 200 nm发光增强的物理机制。

三维激光雷达外参数标定是智能车通过激光雷达感知环境的基础, 针对常见标定方法实施繁琐、精度低, 以及依赖其他传感器的问题, 提出了一种分步自动标定算法。第1步对地面点云进行拟合得到地面方程, 构造水平度函数, 通过粒子群优化(PSO)算法优化水平度函数完成对激光雷达俯仰角、横滚角和纵向位移的标定; 第2步标定以第1步标定的完成为基础, 在车辆沿直线行驶过程中采集多帧含有同一标定杆的激光点云, 通过聚类得到标定杆聚类中心, 然后在二维平面内对多帧同一标定杆的聚类中心进行直线拟合, 根据直线斜率计算航向角。结果表明, 所提算法的精度可达10-5数量级, 耗时0.5 s, 极大地提高了标定精度和效率, 能满足实际工程的使用需求。上述两步自动标定算法由程序自动完成, 并且不依赖于其他传感器即可得到高精度的标定结果。

采用固相法合成了KSr4(BO3)3∶xEu2+ (KSB∶xEu2+)荧光粉, 通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及光致发光光谱分别研究了样品的晶相、形貌及发光性质。XRD研究结果表明制备的样品为正交晶系的KSr4(BO3)3单相。当Eu2+的掺杂摩尔分数x为1.5%时, 在激发光谱250~550 nm范围内观察到了两个宽带激发, 可归属为Eu2+的4f7-4f65d1跃迁;在400 nm激发下, 发射谱呈现出一个不对称的黄色发射带, 峰值位于560 nm处, 可归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。因在KSr4(BO3)3化合物中存在3个Sr格位, 根据其光谱特征可推测发射谱中非对称的发射带来源于多个Eu2+发光中心。

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法, 对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究, 分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.通过状态方程和焓相等原理得到GaN从纤锌矿到氯化钠结构的相变压强分别为43.9 Gpa和46.0 Gpa; 在相变的过程中, GaN由典型的直接带隙半导体转变为间接带隙半导体材料; 氯化钠结构GaN相比于纤锌矿结构, 介电函数主峰值增强, 本征吸收边明显往高能方向移动, 氯化钠结构GaN在低能区域的光学性质差于纤锌矿结构.

报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.

为了表征严重影响材料生长和器件性能均匀性的微米尺度的局域非均匀性，采用非接触、快捷的荧光光谱的测量方法，并经数据处理后直接得到微米量级薄膜光学厚度参数的均匀性。结果表明，拟合后获得的斜率分布均匀性可直接反映材料厚度的均匀性，可为材料生长工艺优化研究提供重要的信息。

报道了激光束诱导电流(LBIC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LBIC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LBIC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系.

室温短波碲镉汞焦平面技术在**与航天工业上的应用越来越广泛,列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏面面积扩大的问题越来越突出.我们利用激光诱导电流(LBIC)检测系统测试了室温短波碲镉汞n-on-p芯片的光响应分布,证实了有效光敏面扩大的存在.从实验结果看,结区的侧向扩散收集效应是造成目前常规工艺形成的光伏器件光敏面面积扩大的主要因素.