发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性, 被视为新型材料的突破口; GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质, 已经成为“继硅之后最重要的半导体材料”。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合, 发挥两种材料体系的优势, 将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机。关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究目前已经有所突破, 本文简要概述了近年来石墨烯与GaN基材料接触机理方面和石墨烯应用于GaN基材料器件方面的进展状态。
石墨烯 GaN材料 石墨烯GaN接触 graphene GaN-based materials graphene contacts with GaN-based material
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
研究了测试频率为0.3~1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.
电容-电压特性 肖特基器件 GaN 基材料 capacitance-voltage characteristic Schottky diode GaN-based material
1 淮阴师范学院 物理系低维材料化学省重点建设实验室,淮阴 223001
2 中国科学院 上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
为了表征严重影响材料生长和器件性能均匀性的微米尺度的局域非均匀性,采用非接触、快捷的荧光光谱的测量方法,并经数据处理后直接得到微米量级薄膜光学厚度参数的均匀性。结果表明,拟合后获得的斜率分布均匀性可直接反映材料厚度的均匀性,可为材料生长工艺优化研究提供重要的信息。
激光技术 GaN基材料 局域光学厚度 荧光光谱 laser technique GaN-based material local optical thickness photoluminescence spectra