中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室， 上海 200083
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现，在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中，出现了峰和负值电容，而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为，负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗，但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.
电容-电压特性 肖特基器件 GaN 基材料 capacitance-voltage characteristic Schottky diode GaN-based material
武汉理工大学 光纤传感技术国家工程实验室,湖北 武汉 430070
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,157 nm激光在能量密度高于2.5 J/cm2时,刻蚀速率可达50 nm/pulse以上。以低于16 Hz脉冲频率和高于0.25 mm/min的扫描速度进行激光直写刻蚀时,可以获得Ra30 nm以下的表面粗糙度。采用扫描刻蚀方法,可以加工出75°左右的刻蚀壁面。实验也证明157 nm激光在三维微结构加工方面具有较大的潜力。单光子吸收电离引起的光化学反应是157 nm激光刻蚀GaN基材料的主要机理。
光学制造 157 nm准分子激光 GaN基材料 微刻蚀
1 淮阴师范学院 物理系低维材料化学省重点建设实验室，淮阴 223001
2 中国科学院 上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
为了表征严重影响材料生长和器件性能均匀性的微米尺度的局域非均匀性，采用非接触、快捷的荧光光谱的测量方法，并经数据处理后直接得到微米量级薄膜光学厚度参数的均匀性。结果表明，拟合后获得的斜率分布均匀性可直接反映材料厚度的均匀性，可为材料生长工艺优化研究提供重要的信息。
激光技术 GaN基材料 局域光学厚度 荧光光谱 laser technique GaN-based material local optical thickness photoluminescence spectra
