采用含二甲基亚砜(DMSO)添加剂的二步溶液法制备高质量CH3NH3PbI3吸收层, 并制备了结构为FTO/TiO2致密层/TiO2介孔层/CH3NH3PbI3吸收层/碳电极的碳基无空穴传输层的钙钛矿太阳能电池(PSCs)。研究了PbI2薄膜分别在相同浓度的MAI/IPA溶液中浸泡不同时间, 以及在不同浓度的MAI/IPA溶液中浸泡相同时间对CH3NH3PbI3薄膜的形貌、结构以及对PSCs光伏性能的影响规律。结果表明, 在PbI2/DMF溶液中添加DMSO之后使制备的PbI2薄膜呈多孔疏松状态, 有利于MAI/IPA溶液渗入PbI2薄膜内部, 缩短PbI2完全转换成CH3NH3PbI3的时间; 当浸泡时间为40 min时, 电池的光伏性能最佳, 其开路电压为0.82 V, 短路电流密度为21.21 mA/cm2, 填充因子为0.49, 光电转化效率为8.61%。但是当浸泡时间过长, CH3NH3PbI3薄膜表面会出现大晶粒, 导致电池的光伏性能变差。而在相同的浸泡时间下, MAI/IPA溶液的浓度则会显著影响PbI2转化成CH3NH3PbI3的速度, MAI/IPA溶液的浓度越高, PbI2完全转化成CH3NH3PbI3的速度越快。

采用脉冲激光沉积法, 室温条件下在透明导电玻璃衬底上制备了Bi3.95Er0.05Ti3O12(BErT)薄膜。研究结果表明, 低沉积氧气压下制备的BErT薄膜表面致密, 平整无裂缝, 且呈非晶结构; 当沉积氧气压为3 Pa时, BErT薄膜厚度约为180 nm, 表现出优秀的介电性能, 即当测试频率为1 kHz时, 室温介电常数为52, 介电损耗为0.025。同时, BErT薄膜的介电性能随频率、电压和温度的变化比较稳定, 在可见光区间具有较高的透过率。

制备了一个可测量ｎ型GaN材料电阻的白光LED样品, 测量了从室温到170 ℃下的LED芯片的n-GaN材料的电阻, 发现n-GaN材料的电阻随温度的升高而增大, 且两者呈一定的指数关系。利用这一特性, 通过测量LED工作状态下内部所用GaN材料的电阻, 可以实现对LED结温的测量。通过改变积分球底板温度使LED样品处于不同的结温下, 测量了白光LED的光谱及色度学参数, 结果表明: 白光LED的峰值波长、显色指数、色温、光通量均与结温成一定的线性关系。

采用化学水浴以CdCl2·H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳米晶薄膜。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱, 研究了反应前驱物中不同的n(S)∶n(Cd)对所制备的CdS薄膜的形貌、结构和光学性能的影响。结果表明: 反应前驱物中n(S)∶n(Cd)≥3∶1时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的CdS薄膜; CdS薄膜均为富镉的n型半导体, 薄膜中的S/Cd原子比约为0.9∶1; CdS薄膜的吸收边在450 nm左右, 在510~2 500 nm范围内透射率均在70%以上, 在500 nm处有一较强的发光峰。

采用射频磁控反应溅射技术, 在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品。采用椭偏光谱和紫外-可见光透射光谱测试分析技术, 研究了Er2O3薄膜的折射率、消光系数、透射率和光学带隙等光学常数与制备工艺的关系。研究了不同条件下制备的Er2O3薄膜的介电常数和Ⅰ～Ⅴ特性。结果表明, Er2O3薄膜的折射率、禁带宽度和介电常数随Ar/O2流量比的增加而增加, 而消光系数基本不随Ar∶O2流量比的变化而变化。在Ar∶O2流量比为7∶1制备的Er2O3薄膜具有较好的物理性能, 在可见红外波段其折射率约1.81, 消光系数为3.7×10-6,禁带宽度5.73 eV,介电常数为10.5。