针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求，开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究，通过对 CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究，并对 Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明：Pt/CdS肖特基紫外探测器在 0.3～0.5.m下响应率大于 0.2 A/W，对 3～5.m红外波长的平均透过率大于 80%，很好地满足了紫外 -红外双色探测器中的工程化应用要求。
肖特基 紫外探测器 I-V特性 Pt/CdS Pt/CdS, Schottky, UV detector, I-V characteristics
采用3 种不同钝化膜制备InSb 探测器，测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V 特性曲线，通过对偏置电压为－0.1 V 时的暗电流密度进行比较，分析了表面漏电流对InSb 探测器性能的影响。实验结果表明SiO2＋SiNx 复合膜能大幅度降低器件表面暗电流，C-V 测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷。将复合钝化膜应用到128×128 15 ?m InSb 焦平面探测器上，探测器芯片优值因子R0A≥5×104 ?·cm2，较之前（R0A≈5×103 ?·cm2）得到了极大改善。
钝化膜 InSb 探测器 暗电流 固定电荷 passivation film, InSb detector, dark current, fix
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率，材料结构稳定、可生产性强，并具备低暗电流和高工作温度（HOT）的优势，符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗（SWaP）的要求。目前，工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3 类：InSb、锑基II 类超晶格和InAsSb，国外已报道了640×512、1024×1024 和2040×1156 规格的焦平面阵列，工作温度提高到150 K 以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。
高工作温度（HOT） II 类超晶格 high operation temperature（HOT） SWaP SWaP InAsSb InAsSb InSb InSb Type-II superlattice
1 昆物理研究所, 昆明 6500223
2 昆明市中小企业服务中心, 昆明 650041
研究了采用纯度为 99.9%的 In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术, 分析了焊接时候的影响因素: 焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度, 通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层, 在 215℃、5×10-7 torr的真空环境下进行了焊接, 焊接后的样品采用 X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率, 结果表明: 焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好, 能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求。
InPb焊料 非制冷焦平面探测器 探测器窗口 低温焊接 InPb solder uncooled focal plane detector detector window low temperature welding
