中国兵器工业集团公司第53研究所, 济南 250031
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚AlxGa1-xN外延膜, 通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷, 通过高分辨X射线衍射试验对AlxGa1-xN外延膜进行ω/2θ扫描, 结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构, 通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数, 并由此对应变进行定量分析, 四个不同Al组分的AlxGa1-xN外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小, 并且均小于零, 在水平方向上均处于压应变状态。
铝镓氮外延膜 高分辨X射线衍射 晶格常数 应变 AlGaN epitaxial film MOCVD MOCVD high resolution X-ray diffraction crystal lattice constant strain
中国兵器工业集团公司第五三研究所， 山东 济南 250031
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度，结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子，测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明，发射波长为224.3 nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772 eV，认为其弯曲因子在1.0 eV附近，由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
薄膜 AlGaN外延膜 光致发光 弯曲因子 CASTEP软件 激光与光电子学进展
2012, 49(5): 051601
