在GaSb（100）衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构，利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析，得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息，计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合原子力显微镜对两组超晶格样品进行了表面起伏及表面粗糙度的测试和表征，结果发现：50周期InAs（10 ML）/GaSb（10 ML）超晶格样品比短周期和非对称超晶格样品的表面起伏更小，表面粗糙度更低；随着超晶格样品生长周期的递增，摇摆曲线上1级衍射峰的半峰全宽显著减小，样品表面的起伏和连续性得到改善，50周期对称超晶格样品的均方根表面粗糙度可以减小到0.31 nm，摇摆曲线上的卫星峰可以清晰看到±4级衍射峰，1级衍射峰的半峰全宽仅为0.027°，周期厚度为5.59 nm，平均应变为0.43%。

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚AlxGa1-xN外延膜, 通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷, 通过高分辨X射线衍射试验对AlxGa1-xN外延膜进行ω/2θ扫描, 结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构, 通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数, 并由此对应变进行定量分析, 四个不同Al组分的AlxGa1-xN外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小, 并且均小于零, 在水平方向上均处于压应变状态。