采用一种新型的被动调Q饱和吸收体，低温生长GaAs薄膜，实现了半导体抽运Nd∶YVO₄激光器的调Q运转．研究了激光器的调Q特性，调Q抽运阈值为2W．在抽运功率9．2 W时，获得的最短脉冲半峰全宽为15ns，最大单脉冲能量为4．84μJ，最高峰值功率为330 W，最大平均输出功率为1．16 W；脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间．

采用低温生长GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜，实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器的调Q锁模运转。研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器的基频运转特性。在输出镜透射率T=10%、腔长L=40 mm的情况下，当抽运功率为8.6 W时，获得激光输出功率3.78 W，光光转换效率为43.9%。并测量了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶被动调Q激光器的输出特性。实验结果表明激光器调Q运转阈值为2 W，当抽运功率为3.7 W时，激光器出现调Q锁模行为；当抽运功率为8.6 W时，激光器调Q锁模深度达70%以上，对应的脉冲包络重复频率为670 kHz，半峰全宽为180 ns，平均输出功率为1.35 W，光光转换效率为15.7%。