由于金属杂质离子对晶体损伤性质有不容忽视的影响，受实验条件限制，Fe及其团簇缺陷对晶体的影响机制尚不明确。采用第一性原理的方法，对磷酸二氢钾（KDP）和磷酸二氢铵（ADP）晶体中的Fe及其团簇缺陷进行模拟研究，确定其对晶体结构及光学性质方面的影响。研究发现，Fe进入KDP和ADP晶体中主要以取代P原子形成FeO₄基团最稳定，且其稳定形式以Fe³⁺为主。磁性状态研究发现磁性条件对晶体的结构和能量影响不大，Fe对晶体的损伤主要通过引起200～300 nm范围明显的光学吸收影响损伤阈值。Fe进入晶体中形成团簇缺陷可通过电荷补偿与O空位（V_O）复合，几乎不会与OH空位（V_OH）复合，团簇缺陷以Fe对晶体结构和性质的影响为主。

在高功率固体激光装置中，大口径KDP晶体的面形畸变控制是影响终端光学组件倍频转化效率的关键因素之一。为了提高大口径KDP晶体的装配附加面形质量，提出了一种点支撑装配附加面形畸变抑制工艺方法。首先，通过遗传算法对支撑点及其分布进行优化设计。然后，采用有限元分析方法对KDP晶体的装配预紧工艺进行优化设计。最后，开展优化后的装配工艺对KDP晶体装配附加面形畸变的抑制和倍频转换效率的实验验证。实验结果表明：提出的工艺方法对KDP晶体装配附加面形畸变具有良好的抑制效果，实测面形PV值为6.51 μm，二倍频转化效率可达72.6%，且重复装配的一致性良好。该方法大幅提升了晶体倍频效率和远场光斑质量，并在工程上得到应用与推广。

在惯性约束聚变（ICF）领域，为了满足物理实验需求，需要采用短波长的紫外激光打靶。目前，国内外高功率固体激光装置普遍采用谐波转换的方式来获得三倍频紫外激光。高效的频率转换必须满足相位匹配条件，而晶体的反射面形畸变过大对准直精度和倍频效率均匀性都会产生不利影响。通过实验验证了晶体准直光斑的质量退化主要来源于晶体因夹持和重力导致的反射面形畸变，证明了改进晶体的夹持方式可以有效改善晶体面形，提高准直精度和准直光斑质量，并显著提升三倍频转换效率。

To reduce the seed length while maintaining the advantages of the cuboid KDP-type crystal, a long-seed KDP crystal with size $471~\text{mm}\times 480~\text{mm}\times 400~\text{mm}$ is rapidly grown. With almost the same high cutting efficiency to obtain third harmonic generation oriented samples, this long-seed KDP-type crystal can be grown with a shorter seed than that of the cuboid KDP-type crystal. The full width at half maximum of the high-resolution X-ray diffraction of the (200) crystalline face is 28.8 arc seconds, indicating that the long-seed KDP crystal has good crystalline quality. In the wavelength range of 377–1022 nm, the transmittance of the long-seed KDP crystal is higher than 90%. The fluence for the 50% probability of laser-induced damage (LID) is $18.5~\text{J}/\text{cm}^{2}$ (3 ns, 355 nm). Several test points survive when the laser fluence exceeds $30~\text{J}/\text{cm}^{2}$ (3 ns, 355 nm), indicating the good LID performance of the long-seed KDP crystal. At present, the growth of a long-seed DKDP crystal is under way.