为了能制备高均匀性、大尺寸高清RGB-OLED显示终端, 发展了一种全新的、无掩膜低成本的彩色薄膜沉积技术——薄膜晶体管导向的薄膜沉积技术, 并研究了薄膜晶体管的宽长比及栅压对电聚合发光薄膜性能的影响, 寻找最佳的制备条件。实验中采用像素尺寸大小为200 μm×200 μm的AMOLED基板, 通过TFT来控制发光薄膜在ITO像素上的电化学聚合过程。首先对不同宽长比的TFT性能进行表征, 再对不同宽长比的TFT在不同栅压条件下制备的电化学聚合薄膜进行表征和分析。实验结果表明, 在同一宽长比的TFT控制下, 施加栅压越大,制备的薄膜越厚, 发光效果越好; 在不同宽长比的TFT控制下, 宽长比越大, 聚合薄膜越厚, 发光效果越好。在较大栅压下, 选择宽长比为50 μm/10 μm的TFT最为适宜。研究结果为电化学聚合技术在AMOLED显示中的应用奠定了良好基础。

有机电致发光材料具有主动发光、 视角广、 对比度高等显著特点。 稀土有机配合物电致发光材料目前备受广大研究者的关注。 以水杨醛和苯甲酸衍生物为原料, 经酯化、 肼化及希夫碱缩合合成了水杨醛对甲氧基苯甲酰腙(1-H2L)、 水杨醛对甲基苯甲酰腙(2-H2L)、 水杨醛对溴基苯甲酰腙(3-H2L) 3种配体, 以Pr(NO3)3为原料, 合成了水杨醛酰腙系列镨稀土配合物, 经红外光谱、 紫外光谱等分析手段对该类配合物的结构进行表征, 配体在3 136～3 141 cm-1出现羟基ν(OH)伸缩振动峰, 在配合物的红外光谱中消失, 配合物在3 330～3 368 cm-1之间的吸收峰归属为结晶的H2O的ν(O—H)羟基弯曲振动吸收峰, 配合物在与配体对应的3 140 cm-1均不出现羟基吸收峰, 三种配体及配合物的吸收波形相似, 反映出配体及配合物的结构基本一致, 但配体与配合物的吸收波峰相差较大, 据此可推测配体已经配位。 采用荧光分光光度计测定了该类配合物的荧光光谱, 并讨论了配体取代基的变化对荧光强度的影响。 配体分别在352, 369, 365和417 nm波长监测下, 于517 nm处出现发射峰。 其中3-H2L的荧光强度最高。 配合物均在470 nm的蓝光激发下, 分别于608和617 nm出现镨的电偶极跃迁特征发射峰, 归属于3P0→3F2跃迁。 配合物均可被470 nm蓝光激发, 在608～617 nm处有较好的红光发射, 该类荧光粉有望应用于OLED上进行应用。

为提高有机电致发光材料热稳定性和发光效率, 设计合成了新型萘基蒽类蓝光材料。以9-溴-10-(2-萘基)蒽为原料, 分别同4-(1-萘基)苯硼酸和4-(2-萘基)苯硼酸在四(三苯基膦)钯催化下进行Suzuki偶联, 合成10-(2-萘基)-9-(4-(1-萘基)苯基)蒽(NPNA-1)和10-(2-萘基)-9-(4-(2-萘基)苯基)蒽(NPNA-2)。采用红外、核磁对其结构进行表征, 通过TG、DSC分析对其热稳定性进行研究, 采用紫外和荧光光谱对其光谱性能进行表征。在波长378 nm波长光激发下, 二者均显现出了强发光性能, NAPA-1的λmax为424 nm, NAPA-2的λmax为428 nm, 均为优秀的蓝光材料。

原子层沉积（ALD）方法可以制备出高质量薄膜, 被认为是可应用于柔性有机电致发光器件（OLED）最有发展前景的薄膜封装技术之一。本文采用原子层沉积（ALD）技术, 在低温（80 ℃）下, 研究了Al2O3及TiO2 薄膜的生长规律, 通过钙膜水汽透过率（WVTR）、薄膜接触角测试等手段, 研究了不同堆叠结构的多层Al2O3/TiO2复合封装薄膜的水汽阻隔特性, 其中5 nm/5 nm×8 dyads（重复堆叠次数）的Al2O3/TiO2叠层结构薄膜的WVTR达到2.1×10-5 g/m2/day。采用优化后的Al2O3/TiO2叠层结构薄膜对OLED器件进行封装, 实验发现封装后的OLED器件在高温高湿条件下展现了较好的寿命特性。

同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂, 分别制备了两种白光有机发光二极管, 测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明, 两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极到阴极方向为橙/蓝的器件的稳定性要优于发光层顺序为蓝/橙的器件, 这是由于橙光发光层中的rubrene对空穴的陷进作用可捕获穿越橙光发光层中的空穴, 从而有效地调控了器件内部的电子、空穴浓度的平衡。通过对器件的优化, 制得了色坐标为(0.320 1, 0.345 9)的接近标准白光的有机电致发光器件。

将LiF插入到发光层Alq3中，制备了有机电致发光器件(OLED)，其器件的结构为：ITO/NPB (45 nm)/Alq3 (x nm)/LiF (0.3 nm)/Alq3［(45-x) nm］/Al(150 nm)。发现器件的电致发光谱(Electroluminescence spectra, EL)有非常明显的展宽现象，这为白光器件的制备提供了一条简单的途径。通过对比LiF在Alq3中不同厚度处的发光谱，发现在x=10时谱线展宽最显著，器件最大亮度在22 V时达到8 260 cd/m2，最大效率可达 4.83 cd/A，并对其光谱展宽的机理及器件特性进行了分析。

有机电致发光器件的稳定性与其封装结构密切相关，封装技术的优劣直接影响有机电致发光二极管器件的寿命.本文采用热阻抗模型对三种常用有机电致发光二极管器件封装结构进行热阻抗分析，并利用ANSYS有限元分析软件的热分析模块对热特性进行研究，得出各种器件封装结构的温度场分布，根据温度场分布比较得出各种封装结构散热性能的差异.分析得出,传统后盖式封装结构与混合封装结构散热效果相差不大，Barix封装结构具有最好的散热性能.模拟仿真结果显示,当玻璃厚度从0.5 mm增加至0.9 mm时，传统封装结构的发光层温度升高了0.124℃，Barix封装结构的发光层温度升高了0.262℃，表明玻璃层厚度的增减对有机电致发光二极管器件的散热影响较小.改变器件表面空气流动速度，使对流系数从25W/(m2·K)变为85W/(m2·K)时，传统封装结构有机电致发光二极管发光层的温度由42.911℃递减到26.85℃，可见增大表面空气流动速度对降低有机电致发光二极管有源层的温度作用显著.

OLED即有机发光显示技术，是一种全新的显示技术，其具有更薄、更轻、主动发光(即不需要背光源)、广视角、高清晰、响应速度快、低能耗、低温和抗震性等优点。文章通过介绍OLED平板显示的技术特点、专利技术现状及未来的发展前景，让我们对这种新平板显示技术有一个全新的认识，并对OLED技术有一个全面了解，避开专利技术壁垒，抓住机遇，实现传统CRT（阴极射线管显示器，cathode ray tube）显示产业成功转型。

有机电致发光器件自从C． W. Tang等发表了高效、高亮度双层结构器件以来，因其工艺简单、成本低、直流低压驱动，并且可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点 [1-4] 。Forrest等人提出的有机多层量子阱结构的概念应用到了有机电致发光器件（OLEDs）中，进而提高了有机电致发光器件的性能，引起了学者们的研究热情。文章将这种结构器件的研究情况给予综述，从结构的应用、工作原理、优缺点和应用前景方面予以展望。