清华大学 电子工程系，清华信息科学与技术国家实验室(筹)，北京100084
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸（HNO3+HF）、稀盐酸（HCl）和硫代乙酰胺（CS3CSNH2）溶液处理AlGaN表面后，Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱（XPS）测试结果显示：氧元素含量明显降低，表明这三种溶液可以有效地去除AlGaN表面氧化层，其中CS3CSNH2效果最佳；Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象，相当于AlGaN表面处的费米能级向导带一侧移动，使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化AlGaN/GaN欧姆接触有十分重要的意义。
AlGaN/GaN异质结 表面处理 欧姆接触 XPS能谱 AlGaN/GaN heterostructure surface treatment ohmic contacts XPS spectra
