本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能，为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管（ APD）的主动、被动两种盖革模式电路，设计并实现了输出可调至300.0 V的高稳定直流高压偏置电源，实测纹波电压小于 20.4 mV，纹波系数小于 6.8×10－5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下，测试了被动盖革模式 APD的死时间、暗计数和光子计数，给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围；紫外光照下，被动盖革模式 APD的电路输出脉冲的死时间为 1.0 .s。基于被动盖革模式电路测试的参数，研制了主动盖革模式电路，实验结果表明：主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为 102.0 ns，光子计数的上限由被动盖革模式的 1.0 MHz提高到主动盖革模式的 9.8 MHz。因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽，预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求。

分析了在红外通信波段对量子密钥分配的关键器件单光子探测器进行精密温度控制的必要性。为了达到最好的探测效率和最小的暗计数，存在一个最佳工作温度；而且探测器噪声对温度相当敏感。介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法。给出了ADN8831芯片的特点和应用电路。实验表明该电路控制精度可达±0．01℃。利用此精密温控电路来改变InGaAs／InP雪崩光电二极管的工作温度，得到几组不同温度下光电流、暗电流－电压特性曲线。

分析暗计数的来源,讨论温度及门控模式下各种参数对暗计数的影响,提出减小暗计数的有效方法。太低的温度不利于暗计数的减小,而应根据不同的 APD选择合适的温度并与门控技术结合来消除暗计数。偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择对后脉冲的消除起着关键的作用。