作者单位
摘要
1 湖州师范学院 应用物理系, 浙江 湖州 313000
2 浙江省贝盛光伏股份有限公司, 浙江 湖州 313008
探究了多晶硅太阳电池表面双层氮化硅减反、钝化结构的产线工艺。示范性实验结果表明, 直接与多晶硅接触的底层氮化硅的厚度是双层氮化硅减反、钝化能力的一个关键因素。相对于单层氮化硅减反、钝化的多晶硅太阳电池, 厚度优化的双层氮化硅减反、钝化电池片的短路电流和开路电压均有所改善, 相应的光电转换效率提升超过0.2%。光电转换效率的提升归因于双层氮化硅减反、钝化结构有利于降低光损失和表面钝化。
多晶硅太阳电池 双层氮化硅 减反射 钝化 multi-crystalline silicon solar cells double-layer SiNx film antireflection passivation 
半导体光电
2016, 37(5): 707
作者单位
摘要
1 拉萨师范高等专科学校信息技术系, 西藏 拉萨 850007
2 西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048
采用X 射线光电子能谱(XPS)分析了单层和双层SiNx 膜中的化学键、N/Si 比及Si、N、C、O 原子百分比,进一步验证了等离子体增强化学气相沉积法沉积单层和双层SiNx膜对单晶硅太阳电池电学性能的影响。XPS、反射率及少子寿命的分析表明,NH3和SiH4在单晶硅表面生成了含有H 的SiNx薄膜,双层SiNx外层膜的N/Si 比略高于单层膜,起到了更好的减反射效果,内层膜比单层膜富Si,起到了更好的钝化效果。电学测试结果表明,相比单层SiNx膜单晶硅太阳电池,双层SiNx膜单晶硅太阳电池开路电压提高了2 mV、短路电流提高了47 mA、转化效率提高了0.17%。
光电子学 单晶硅太阳电池 双层SiNx膜 X 射线光电子能谱 键能 转换效率 
激光与光电子学进展
2015, 52(6): 061608

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