针对晶体表面的损伤特性，采用小光斑扫描激光预处理技术预辐照DKDP晶体元件，并采用表面损伤自动探测系统实时分析每个脉冲辐照后晶体表面的损伤情况，比较预处理和未预处理区域的损伤点密度确定表面预处理效果，并进一步模拟分析表面各类缺陷在纳秒强激光辐照下的动态过程，解释激光预处理对精抛表面提升作用的微观机制并分析它对粗抛表面提升不明显的原因。实验结果表明，激光预处理技术对粗抛表面的提升作用并不明显，但是可以大幅度抑制精抛表面的损伤点密度。在本文的实验条件下，晶体表面的抗激光损伤能力可以提升约60%。比较体材料和精抛表面的预处理效果发现: 当体材料的抗破坏能力通过预处理提升后，精抛表面的抗激光损伤能力也会提升，由此可见精抛表面的激光预处理效果与体材料性能相关。

分析了激光预处理对ZrO₂-SiO₂ 1064 nm 高反射膜激光损伤阈值以及引起损伤缺陷的影响。在以缺陷损伤阈值和缺陷密度表征缺陷的基础上,研究了预处理前后薄膜中引起损伤缺陷的变化情况。研究了激光预处理能量和预处理效果的关系。结果表明,激光预处理可以清除ZrO₂-SiO₂ 1064 nm 高反射膜中低阈值的缺陷,但预处理能量密度较高时,可以使薄膜中高阈值缺陷转化成低阈值缺陷。因此扫描预处理应采用相对较低的能量密度。