西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明：电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大；电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而CB区光响应度是初级光电流退化的主导因素。
光电耦合器 总剂量效应 不同偏置 电流传输比 optocouplers total dose effect different bias current transfer ratio
