1 上海大学 理学院 物理系, 上海 200444
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关, 压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性, Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀, 刻蚀气体中Cl2含量越高, 刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢, 但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小。刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢, 且存在图形侧壁倾斜现象。该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀, 从而提高器件制备效率。
ICP刻蚀 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁 ICP etching Cl2/Ar Cl2/Ar Cl2/BCl3 Cl2/BCl3 carbonized denaturation of photoresist sidewalls
东南大学 电子科学与工程学院，江苏 南京 210096
采用一种基于三电场分量的全矢量有限元法，其中引入了完善匹配层(PML)吸收边界条件，分析由梯形截面硅基垂直多槽纳米线构成的平行定向耦合器.考虑了波导侧壁倾角、耦合波导间距、槽宽及槽折射率的变化对定向耦合器性能的影响.给出了准TE与准TM偶、奇模有效折射率、耦合长度及模场分布，揭示了其模式的混合特性及模场分布特点.分析结果表明，恰当选择结构参数及材料参数，可实现两偏振态下相同耦合长度，定向耦合器在偏振无关条件下工作.
定向耦合器 多槽纳米线 侧壁倾斜 有限元法 硅光子学 directional coupler multiple-slotted silicon wires slanted sidewalls finite element method silicon photonics
