采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关, 压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性, Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性。对于GaAs样品刻蚀, 刻蚀气体中Cl2含量越高, 刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重。Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢, 但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小。刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢, 且存在图形侧壁倾斜现象。该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀, 从而提高器件制备效率。