长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构，即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明，随In组分的增加，InGaAsSb禁带宽度减小，应力加大，能带漂移增大，InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小。同时，利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系。研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱的影响，可以定性地解释已有的实验报道。
应变量子阱 能带结构 自发发射谱 InGaAsSb/GaSb InGaAsSb/GaSb strained quantum well band structure spontaneous emission spectra 强激光与粒子束
2014, 26(11): 111008
通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽, 得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱。计算结果表明, 极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势, 使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移, 并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率。同时, 随着InGaN/GaN多量子阱结构阱层In组分的增多或阱层宽度的增加, 极化效应带来的发光峰值波长红移效果进一步增强。
极化效应 多量子阱 自发辐射谱 InGaN/GaN InGaN/GaN polarization effect multiple quantum well spontaneous emission spectra
本文从理论上研究了共振激光场缀饰的原子自发辐射谱随时间的演化.讨论了系统的初态“制备”及其对原子激发过程和自发辐射过程的影响,比较了全量子理论与半经典理论对激光场与原子共振相互作用的研究,当驱动场处于相干态时,它们之间可以建立等价关系,对自发辐射谱的时间特性及其观测和有关的一些物理概念进行了讨论.
缀饰的原子 自发辐射谱 选择性激发
