1 天津大学精密仪器与光电子工程学院 超快激光研究室,天津 300072
2 光电信息技术教育部重点实验室,天津300072
3 天津大学精密仪器与光电子工程学院 太赫兹中心,天津300072
在室温条件下,基于太赫兹时域频谱(THz-TDS)技术研究了SBN:Ce陶瓷在532 nm连续激光激发下的介电响应.在外加光场的作用下,该陶瓷的介电常数表现出良好的调制特性,介电改变量达到8.5%；同时,介电损耗增加了15%.实验结果表明,该材料折射率的变化|Δn|与外加光场强度呈现线性关系.通过建立模型,分析了SBN:Ce陶瓷的光-铁电机理,这些实验结果可以被归结为,激发的自由载流子在样品内部形成的内建电场导致的介电常数改变.探索铁电陶瓷材料在太赫兹波段的光-铁电性质对于太赫兹波调制器件的研究具有指导意义.
太赫兹时域频谱技术 掺铈铌酸锶钡 光折变效应 自发极化 terahertz time-domain spectroscopy Sr1-xBaxNb2O6:Ce ceramics photorefractive effect spontaneous polarization
1 安徽理工大学 电气与信息工程学院, 安徽 淮南 232001
2 安徽理工大学 数理学院, 安徽 淮南 232001
3 南京大学电子科学与工程学院 微结构国家实验室, 江苏 南京 210093
高迁移率的二维电子气在纤锌矿结构Zn1-xMgxO/ZnO异质结构中被发现, 二维电子气的产生很可能是由于这两种材料界面上存在不连续性极化。本文基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xMgxO合金的自发极化随Mg组分x的变化关系, 其中极化特性的计算采用Berry-phase方法。我们将极化分为3个部分: 电子极化、晶格极化以及压电极化, 结果表明压电极化在总极化中起着主要作用。
氧化锌 氧化镁锌 自发极化 Berry-phase方法 ZnO MgZnO spontaneous polarization Berry-phase method
南阳理工学院电子与电气工程系, 河南南阳473004
研究了紫外光照和温度对偶氮弯曲液晶极化电流的影响。在365 nm紫外光照下，这种偶氮化合物的极化强度随紫外光照时间增加而变化直至为零; 当温度从150 C升高到175 C时，弯曲液晶的极化电流随温度线性降低，用Landau-de Gennes理论解释了这一现象。其极化情况 随紫外光照和温度而变化的实验规律表明:在紫外光照下偶氮弯曲液晶发生了光致异构化、光裂解和热裂解作用。
材料 弯曲液晶 光照 自发极化 materials bent-core liquid crystal photoirradiation spontaneous polarization
深圳大学电子科学与技术学院 微纳光子信息技术实验室, 广东 深圳 518060
提出了关于V字型铁电液晶(V-shaped Ferroelectric Liquid Crystal, VFLC)的等效电路模型, 旨在将EDA技术引入对VFLC光电集成系统进行研究、开发和设计。该模型考虑了由铁电液晶盒多层结构和驱动电路引起的阻抗分配效应, 以及极化与非极化锚定能对VFLC光电响应特性的影响。演示了电光迟滞曲线的反常迟滞、V字型及正常迟滞状态, 并着重就自发极化强度对电光迟滞曲线的影响给出了模拟结果和分析。结果表明：强制电压随驱动信号频率的提高而增加, 但增加速度随自发极化强度的提高而减慢；强制电压和迟滞反转频率随自发极化强度的变化均存在一个拐点, 强制电压在自发极化强度为80nC/cm2时取到最小值(-0.084V), 迟滞反转频率在自发极化强度为90nC/cm2时达到最大值(6.4Hz)；自发极化强度小于80nC/cm2时, 迟滞反转频率随自发极化强度准线性增加。模拟结果从量级和趋势上均与实验结果吻合。
V字型铁电液晶 电路模型 自发极化强度 迟滞反转频率 V-shaped ferroelectric liquid crystal (VFLC) circuit model spontaneous polarization hysteresis inversion frequency
通过对激光光斑测量热释电探测器外电路的研究，结合热释电探测器的工作原理，深入分析了出现干扰的原因，并设计出热释电探测器的抗干扰外电路.试验验证了该电路既可以减少光热电转换中的干扰，又能够提高信号输出幅度和信噪比，从而提高了系统的测量精度.
热释电探测器 激光光斑 光热电转换 自发极化 pyroelectric detector laser spot light thermoelectric conversion spontaneous polarization
