中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心， 北京 100083
对自主研发的975 nm波长的COS封装的大功率半导体单管激光器进行了10，12，14 A的电流步进加速应力试验，应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析，计算出在8 A的电流下，器件的平均寿命为28 999 h。研究了器件的失效形式和老化前后的温升、偏振度的变化，结果表明：失效形式主要有体内退化、腔面退化、与焊接有关的退化；老化后的器件的结温上升增多,偏振度下降10%左右。
可靠性 步进加速应力 指数分布 reliability step accelerated stress exponential distribution
