南京邮电大学 电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院南京 210023
为了解决RC触发机制在小电容条件下开启时间不足的问题, 设计了一种新型ESD箝位电路。电路采用反馈和分流机制与电容组合的方法, 将小电容与一个受反馈nMOS控制的分流nMOS并联。分流nMOS分流了电容的充电电流, 从而延长了电路的开启时间。仿真结果显示, 新提出的电路开启时间足够长且能够快速响应ESD事件, 能够实现ESD保护。此外, 该电路引入可调节的最小开启电压, 能够有效避免快速上电条件下的误触发现象。
小电容 开启时间 最小开启电压 误触发 electrostatic discharge ESD small capacitance turn-on duration minimum starting voltage false trigger
陕西理工大学 化学与环境科学学院,陕西省催化基础与应用重点实验室,陕西 汉中 723000
苯硫酚(Thiophenol,PhSH)是一种剧毒物质,对环境和健康危害极大,因此,对环境中PhSH的快速检测具有重要意义。本工作中,碳点基纳米探针(CD-DNS)以2,4-二硝基苯磺酰胺为识别基团,实现了环境样品中PhSH的高选择性检测。探针CD-DNS溶液本身的荧光强度较弱,加入PhSH后,CD-DNS与其发生亲核取代反应,2,4-二硝基苯磺酰胺键断裂,释放出荧光团,导致探针的荧光强度和吸光度显著增强。进一步研究表明,CD-DNS在520 nm处的荧光强度和440 nm处的吸光度随着PhSH浓度的增加呈线性增加,线性范围为0~5 μmol/L。该探针对PhSH的检测具有反应速度快(4 min)、选择性好等特点。此外,CD-DNS可用于环境水样中PhSH的检测,且可制备成试纸条实现PhSH的半定量可视化检测。实验结果表明,碳点基纳米探针CD-DNS在环境领域具有广阔的潜在应用前景。
碳点 纳米探针 比色/荧光增强型 苯硫酚 环境样品 carbon dots nanoprobe colorimetric/fluorescent turn-on thiophenol environmental samples
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
提出了一种具有高介电常数介质填充沟槽的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。分析了高介电常数介质调制效应。结果表明,与普通场阻型IGBT相比,该器件的击穿电压提高了8%,通态压降减小了8%,关断损耗降低了11%;在相同通态压降下,该器件的关断损耗降低了35%。在栅极与原HK介质之间增加介电常数更高的介质,进一步提升了该IGBT的性能。与普通场阻型IGBT相比,在相同击穿电压与通态压降下,改进器件的关断损耗降低了57%。
绝缘栅双极晶体管 高介电常数 关断损耗 功率器件 IGBT high-k turn-off loss power device
基于0.4 μm标准BCD工艺, 设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT)。采用Cadence软件设计并搭建电路, 在Hspice软件中进行仿真调试。结果表明, 在开始一段时间, 欠压锁定电路(UVLO)输出低电平, 强制使器件处于关断状态; 当UVLO输出高电平之后, DESAT被激活并开始检测集电极电压, 一旦检测到集电极电压超过预设6.5 V阈值电压, 便对器件执行软关断动作, 软关断的持续时间为10 μs。该检测电路实现了UVLO和DESAT对IGBT的协同保护。
去饱和过流保护 欠压锁定 绝缘栅双极型晶体管 软关断 desaturation and over-current protection under-voltage lockout IGBT soft turn-of
强激光与粒子束
2021, 33(9): 095002
福州京东方光电科技有限公司, 福建 福州 350000
按压漏光是发生在ADS TFT-LCD贴合产品上的一种漏光不良, 本文对8.5G工厂1 225 mm (55 in)产品按压漏光的发生原因进行分析, 发现漏光为玻璃基板固定位置受外部应力作用形变导致。同时分析了辅助封框胶排布、封框胶固化前外部应力对基板的影响等。通过改变翻转台运动方式, 能有效改善按压漏光发生程度, 按压漏光发生等级由Level 2(L2, 客户不接受等级)下降至Level 1(L1, 客户接受等级)。该方法的首次导入, 为后续其他产品漏光的解决提供了思路。
按压漏光 应力 形变 翻转台 press light-leakage stress of glass deformation turn-over
华南理工大学 材料科学与工程学院, 广东 广州 510640
采用旋涂制备的纳米银(Silver nanoparticle, Ag NPs)作为阴极, 制备了全溶液加工的红、绿、蓝量子点发光二极管(red, green, blue-quantum dots light-emitting diodes, R-, G-,B-QLEDs)。并针对溶液加工Ag NPs阴极器件启亮电压(Turn-on voltage, Vt)较蒸镀Ag阴极器件偏高的问题, 采用了低真空与热退火组合工艺干燥Ag NPs阴极, 实现了可以与真空蒸镀金属阴极比拟的Vt, R-, G-,B-QLEDs的Vt分别为1.9, 2.6, 3.2 V。实验结果表明, 该阴极处理工艺可能为研制低Vt的全印刷显示发光器件提供新的工艺思路。
全溶液加工 低启亮电压 量子点发光二极管 纳米银电极 低真空/热退火干燥工艺 all-solution process low turn-on voltage quantum dot light-emitting diodes silver nanoparticle electrode low vacuum/thermal annealing drying proces
强激光与粒子束
2020, 32(2): 025009
强激光与粒子束
2019, 31(12): 125103