钴铬合金是常用的人造骨骼材料,其多孔结构直接影响力学性能。应用选区激光熔化工艺成形多孔钴铬合金,设计4种常见的单元结构模型,通过数值模拟和实验验证,研究单元结构参数对多孔骨架抗压强度、弹性模量和应力应变关系等力学性能的影响。实验结果表明,具有交叉单元结构的多孔合金力学性能最优,结构中的形状突变会导致力学性能大幅降低,孔径的增大会降低合金力学性能,减小速率成反比例函数型减小。实验中所设计的A750和C结构的钴铬合金多孔骨具有较好的力学性能,满足人造骨骼的压缩性能需求。

采用三维时域有限差分方法,对比研究了石英基底上周期性亚波长圆形、纽扣形、半圆形和太极形四种具有不同对称性的孔阵列微结构金属膜的增强光透射特性,并分别探讨了阵列周期、小孔尺寸对这四种阵列结构透射特性的影响.结果表明增强光透射特性对单元结构对称性具有很强的依赖性：在超短高斯光脉冲激励下,随着单元结构对称性的降低,归一化透过率逐渐增大,红外波段的透射峰发生大量红移,且其与可见光波段的透射峰之间的距离逐渐增大,在对称性破缺的太极形孔阵列中两峰间距最大,可达1 300 nm左右.表面等离激元模式与局域表面等离子体共振模式在增强光透射现象中起着重要的作用.在可见光波段,表面等离激元模式是这四种阵列结构的光透射增强的主导性因素;在红外波段,局域表面等离子体共振模式对单元结构对称性较差孔阵列结构的增强光透射特性有着显著影响.

采用60Co-γ射线对某国产0.5 μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究, 重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大, 饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致; 暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明, 0.5 μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。

介绍了等离子显示屏的单元结构、放电机理、驱动技术以及图像处理技术等方面的研究内容和重要进展,对等离子显示器发光效率达到5 lm/W和10 lm/W时,PDP可能的单元结构以及引起的亮度、功耗、驱动电路系统架构的变化进行了分析,特别是对PDP成本的变化趋势进行了预测。

本文对三电极表面放电反射结构彩色PDP放电单元进行了等效和分析,利用一些实验验证及计算机模拟的结果,研究了放电单元的一些参数变化对单元亮度、功耗以及发光效率的影响,为彩色PDP的单元设计提供一定的参考.