华中光电技术研究所—武汉光电国家实验室, 湖北 武汉 430223
采用长短波通膜系组合结构,对膜系光学性能进行了优化设计以及仿真分析。采用电子束蒸发,离子束辅助沉积工艺在Si基底两面分别沉积长短通膜。样品的透过率采用红外光谱仪测试,在3.7~4.2 μm波段范围内平均透过率在80%以上,在3~3.6 μm和4.3~5 μm波段范围内截止,并将理论设计与实验结果进行了对比分析。样品通过了GJB2485-95规定的环境适应性测试。产品满足设计要求,具有工程化应用价值。
文字间用 号隔开空半格中波红外 截止带 长波通 短波通 电子束蒸发 medium-wave infrared rejection band long-wave pass short-wave pass electron beam evaporation