电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，光电科学与工程学院，四川 成都 610054
纤维状光电探测器因具有柔性可编织、全角度光探测等特性，有望在可穿戴电子领域取得广泛应用。现已报道的纤维状光电探测器多采用无机光敏材料，器件存在机械柔性受限、制备工艺复杂等问题。本文提出制备纤维状有机光电探测器(FOPD)，采用浸渍提拉法依次在锌丝表面制备电子传输层(ZnO)、有机体异质结光敏层(PBDB-T:ITIC-Th)和空穴传输层(PEDOT:PSS)等功能层，最后缠绕银丝或碳纳米管纤维(CNT)作为外电极，制备了两种柔性FOPD。结果表明，两种器件在可见光波段均具有优良的响应，整流特性明显，在?0.5 V偏压下比探测率均可达10
11 Jones (300 nm~760 nm)。其中，CNT外电极与光敏层的界面接触更佳，器件具有更低的暗电流密度(9.5×10
?8 A cm
?2，?0.5 V)和更快的响应速度(上升、下降时间：0.88 ms、6.00 ms)。本文的研究有望为柔性纤维器件和可穿戴电子领域的发展提供新思路。
1 武汉理工大学,硅酸盐建筑材料国家重点实验室，武汉 430070
2 武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉 430070
采用两步法在二氧化锡掺氟(SnO2∶F，FTO)导电玻璃基板上制备出钇(Y)掺杂多孔结构氧化锌(ZnO)纳米棒，首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃基板上 制备ZnO晶种层，然后利用水热法在ZnO晶种层上生长Y掺杂ZnO纳米棒。研究了不同浓度Y掺杂ZnO纳米棒的晶相结构、微观形貌、化学组成及光学性能。实验结 果表明：所制备的Y掺杂ZnO纳米棒为沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构，随着Y掺杂浓度的增加，ZnO纳米棒(002)衍射峰强度先增大后减小，纳米棒的平均 长度由1.3 μm增加到2.6 μm。ZnO纳米棒的形貌由锥状结构向柱状结构演化，纳米棒侧面的孔洞分布密度增加。所制备的Y掺杂ZnO纳米棒具有一个较弱的紫 外发光峰和一个较强的宽可见发光峰。所制备样品的光学带隙随着Y掺杂浓度的增加而减小，其光学带隙在3.29~3.21 eV之间变化。利用Y掺杂ZnO纳米棒作为 量子点敏化太阳能电池的光阳极可极大提高太阳电池的光电转换效率。
ZnO纳米棒 Y掺杂 水热法 浸渍-提拉法 光学性能 ZnO nanorod Y doping hydrothermal method dip-coating method optical property
贵州民族大学 材料科学与工程学院 贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室, 贵阳 550025
利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT), 研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明: 较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物, 其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处, 对导电沟道中电子进行捕获或散射, 劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅。综合来看, 退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层, 相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比。
薄膜晶体管 非晶氧化物半导体 浸渍提拉法 有机介质层 沟道层退火温度 thin-film transistor amorphous oxide semiconductors dip coating organic dielectric layer annealing temperature of active layer
中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
对亚波长纳米微结构-非紧密堆积多晶胶体晶体光学薄膜的增透特性进行了研究。采用浸渍-提拉法在玻璃表面组装了亚波长纳米微结构，并利用等效介质理论分析其光学性质，理论和实验符合。研究表明实验制备的纳米微结构具有优异的增透性质，通过控制组装条件可以控制膜层厚度实现高增透效率从可见光到近红外的有效调谐，且微结构在玻璃基底上的等效折射率接近1.22，透射率最大能提高约7%，达到998%的增透效果。
增透膜 亚波长纳米微结构 等效介质理论 胶体晶体 浸渍-提拉法 antireflective coating sub-wavelength nanostructure effective-medium theory colloidal crystal dip-coating
