PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响，优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布，在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明，晶型为单一的4H-SiC，微管密度小于1 cm-2，电阻率范围为0.02~0.022 Ω?cm，X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。

研究了10.6 μm CO2激光加热硅芯光纤预制棒的温场分布, 在考虑预制棒表面热辐射和空气对流的情况下, 用有限元软件COMSOL Multiphysics建立了激光加热预制棒的传热物理模型, 比较了激光功率、激光光斑半径和预制棒直径对温场分布的影响, 同时提出CO2激光加热与石墨炉加热结合调节温场分布的方法。仿真结果显示, 激光参数和预制棒直径都会明显影响预制棒温场分布, 且激光光斑半径3 mm, 功率达到400 W的激光器可用于直径10 mm内的硅芯光纤预制棒制备硅芯光纤。通过CO2激光加热和石墨炉加热相结合的加热方式, 能更加灵活有效地调节预制棒的温场分布, 构建适合硅芯光纤拉丝的温场条件。