1 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
为了制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的黑硅材料,在SF6气体氛围中,用一定能量密度的飞秒脉冲激光照射单晶硅片表面。针对激光通量和激光峰值功率这两个参量分别进行实验,具体分析了15 fs和130 fs脉冲宽度的飞秒激光脉冲作用下硅表面微结构的形成,不同实验条件下制备出的硅微纳结构也有明显的差异。研究表明,在同一背景气体下,激光的峰值功率对硅表面微结构的形成起着决定性的作用。
表面微结构 黑硅 脉冲宽度 激光峰值功率 surface micro-structure black silicon pulse duration laser peak power
通过分析激光速率方程得出增加初始态粒子反转数与阈值态粒子反转数比值(Ni/Nt),可以提高激光峰值功率,减小激光脉冲建立时间.采用双Q开关技术有效地抑制自激振荡,提高了Ni/Nt比值.设计了触发管高压脉冲发生电路,产生下降沿很快的高压脉冲信号,提高了Q开关速度,从而使得激光输出峰值功率达50 MW,效率达1.37%,对提高固体激光器的峰值功率与效率具有参考价值.
电光调Q 自激振荡 激光峰值功率 激光建立时间
